Кремний карбиді жабыны

Жарты ай - LPE SiC реакторларында қолданылатын графит құрамдас бөлігі, негізінен камераның ыстық аймағына орнатылады. Ол пластинамен тікелей байланыспаса да, эпитаксиалды өсу кезінде газ ағынының тұрақтылығында және реактор жұмысында рөл атқарады. Жоғары температура мен реактивті процесс жағдайларын өңдеу үшін компонент әдетте CVD SiC жабынымен қорғалады, ал TaC жабыны кейбір қолданбалар үшін де қолжетімді. VETEK сонымен қатар SiC эпитаксистік жүйелері үшін графит киізді оқшаулауды және басқа да қапталған графит бөлшектерін жеткізеді.

8 дюймдік SiC epi жоғарғы сақина жартылай өткізгіш реакторларға арналған аппараттық бөлік болып табылады. Ол Si/SiC эпитаксисі және MOCVD/CVD жүйелерінде жұмыс істейді. Бұл сақина камераның ішіндегі жылуды тұрақтандырады. Ол сонымен қатар газдардың ағынын басқарады. Материал жоғары таза CVD кремний карбиді. Онда графиттің газды шығаратын мәселелері жоқ. Ол сондай-ақ өндіріс кезінде бөлшектердің ластануын азайтады. Сіздің сұрауларыңызды құптаймыз.

VETEK MOCVD SiC қапталған қабылдағыш - жарықдиодты және құрама жартылай өткізгіш эпитаксиалды өсу үшін арнайы әзірленген дәлдікпен жасалған тасымалдаушы шешім. Ол күрделі MOCVD орталарында ерекше термиялық біркелкі және химиялық инерттілікті көрсетеді. VETEK-тің қатаң CVD тұндыру процесін пайдалана отырып, біз жартылай өткізгіштер өндірісінің әрбір партиясы үшін тұрақты және сенімді өнімділікті қамтамасыз ете отырып, пластинаның өсуінің консистенциясын жақсартуға және негізгі компоненттердің қызмет ету мерзімін ұзартуға ұмтыламыз.

Veteksemicon қатты кремний карбиді (SiC) фокустау сақинасы - плазманың таралуын, термиялық біркелкілігін және пластинаның жиектерінің әсерлерін дәл бақылау маңызды болатын жетілдірілген жартылай өткізгіш эпитаксия және плазмалық ою процестерінде қолданылатын маңызды тұтынылатын компонент. Тазалығы жоғары қатты кремний карбидінен жасалған бұл фокустау сақинасы плазмалық эрозияға ерекше төзімділікті, жоғары температура тұрақтылығын және химиялық инерттілікті көрсетеді, бұл агрессивті процесс жағдайында сенімді жұмыс істеуге мүмкіндік береді. Біз сіздің сұрауыңызды күтеміз.

Veteksemicon SIC APitaxial Revelor Caffer - эпитаксальды өсудің жартылай өткізгіштеріне арналған негізгі компонент. Жетілдірілген химиялық будың тұндыруын қолдану (CVD), бұл өнім жоғары деңгейлі графит субстратындағы тығыз, жоғары тазалық, жоғары температуралық тұрақтылық пен коррозияға қарсы тұрақтылықты қалыптастырады. Бұл жоғары температуралы процессорлық ортада реактивті газдардың коррозиялық әсерін тиімдірек етеді, бөлшектердің ластануын едәуір басады, дәйекті эпитаксиальды материалдардың сапасы мен жоғары өнімділікті қамтамасыз етеді және реакция камерасының қызмет ету циклі мен өмір сүру ұзақтығын едәуір ұзартады. Бұл SIC және gan сияқты кең жолақты жартылай өткізгіштердің өндірістік тиімділігі мен сенімділігін арттыру үшін шешуші таңдау.

Ветексемикон кремний карбидінің негізгі процесінде, Ветексемикон сезімталдық қойылымы эпитаксиальды қабаттың сапасы мен тиімділігін тікелей анықтайды. Біз SIC өрісіне арнайы жасалған, арнайы графиттік субстрат пен тығыз CVD-ді пайдаланыңыз. Олардың жоғары жылулық тұрақтылығымен, тамаша коррозияға төзімділігімен және бөлшектердің керемет төмендеуімен, олар теңдестірілген қалыңдығымен, сонымен қатар жоғары температуралы процестермен де, клиенттер үшін теңдестірілген қалыңдығына және допингтің біркелкілігін қамтамасыз етеді. Ветексемикон таңдау дегеніміз - сіздің жетістіктеріңізді өндірістік процестер үшін сенімділік пен өнімділіктің негізін таңдау дегенді білдіреді.