Жаңалықтар

VeTek Semiconductor компаниясының жоғары тазалықтағы графит, CVD SiC/TaC қапталған компоненттері, қатты SiC бөліктері және реттелетін жартылай өткізгіш шешімдері үшін CNC дәл өңдеу мүмкіндіктерін ашыңыз.

Vetek Semiconductor компаниясы өзінің жетілдірілген CVD SiC және TaC жабындарын, графит құрамдас бөліктерін, SiC керамикасын және басқа да жартылай өткізгіш негізгі материалдарын көрсете отырып, Қытайдың Вуси қаласында өткен CSEAC 2026 көрмесіне қатысты. Іс-шара тұтынушылармен серіктестікті нығайтуға, жаңа технологияларды талқылауға, ынтымақтастық жобаларын ілгерілетуге және жаһандық жартылай өткізгіш индустриясының болашақ мүмкіндіктерін зерттеуге құнды мүмкіндіктер берді.

VETEK Semiconductor алты негізгі өнім санатына маманданған, соның ішінде CVD SiC жабындары, CVD TaC жабындары, Solid SiC, жоғары таза графит және көміртекті талшықтар, кварц және жетілдірілген керамика және жартылай өткізгіш пластиналар. Біздің өнімдер эпитаксис, ою және кристалдардың өсуі сияқты маңызды жартылай өткізгіш процестерге қызмет етеді. Қос ғылыми-зерттеу және тәжірибелік-конструкторлық платформалармен, толық интеграцияланған өндіріс жүйесімен және жаһандық жеткізу мүмкіндіктерімен біз Ұлттық мамандандырылған және күрделі «Кішкентай гигант» кәсіпорын ретінде танылдық.

VETEK-тің жартылай өткізгіштерді шығаратын жаңа зауыты жартылай өткізгіштерге арналған таза бөлмені салу кезеңіне енді. Жаңа сайт CVD SiC қапталған графит компоненттерін, TaC жабындарын, PyC жабындарын, қатты SiC бөліктерін және жартылай өткізгіштерге арналған жоғары таза графит материалдарын өндіруге қолдау көрсетеді.

VeTek Semiconductor компаниясы жоғары таза графитті, CVD SiC қапталған графит құрамдастарын, көміртекті композиттерді және жаңа буын күн өндірісі мен фотоэлектрлік өндірісті қолдайтын жетілдірілген жылу өрісі материалдарын көрсететін SNEC 2026 Шанхайдан негізгі түсініктермен бөліседі.

VETEK өзінің жаңа жартылай өткізгіштік өндірістік базасын толықтыру рәсімін атап өтеді, SiC, TaC және PyC жабынының озық технологиялары, Solid SiC компоненттері, жоғары таза графит бөлшектері және жартылай өткізгіш жылу өрісі материалдары бойынша өндірістік қуатты кеңейту.

5 қыркүйекте Ветек Жартылай өткізгіштер клиенттері SIC жабыны мен TAC жабыны зауыттарына барып, эпитаксиальды процестің соңғы шешімдері туралы қосымша келісімдерге қол жеткізді.

2025 жылдың 5 қыркүйегінде Польшадан келген тұтынушы VETEK компаниясына қарасты зауытқа біздің озық технологияларымыз бен көміртекті талшық өнімдерін өндірудегі инновациялық процестермен танысу үшін келді.

SiC қапталған графит пластинкалары GaN және LED эпитаксисі үшін MOCVD жүйелеріндегі маңызды жылу және механикалық компоненттер болып табылады. Бұл техникалық мақалада тасымалдаушының геометриясы, қалта тереңдігі, тегістігі, графит қасиеттері және CVD SiC жабынының күйі пластинаның температурасының таралуына, эпитаксиалды біркелкілікке және процестің қайталануына қалай әсер ететінін түсіндіреді. Ол сонымен қатар жылу біркелкілігі мен құрылғы шығымы, жабынның деградациясының жалпы тетіктері, қызмет ету мерзімі және MOCVD пластинасының арнайы немесе ауыстырылатын тасымалдағышын көрсету кезінде қажетті инженерлік деректер арасындағы байланысты зерттейді.

SiC қапталған графит жоғары тазалықтағы графиттің өңдеуге қабілеттілігі мен термиялық әрекетін химиялық тұрақты CVD кремний карбиді технологиялық бетімен біріктіреді. Бұл техникалық ақ қағаз неліктен жалаңаш графиттің эпитаксистік реакторлардағы химиялық әрекеттесу, қоспалар мен бөлшектердің көзіне айналуы мүмкін екенін, CVD SiC қалай тұрақты процесс шекарасын жасайтынын және жабын тұтастығын, субстрат үйлесімділігін, геометрияны және жылулық мінез-құлықты неге бірге жасау керектігін түсіндіреді. Ол сондай-ақ кремний мен SiC эпитаксисінің әртүрлі талаптарын зерттейді және жартылай өткізгіш қолданбалар үшін қапталған сенсорларды қалай анықтау керектігін сипаттайды.

SiC қапталған графит қабылдағыш жай вафли ұстағышы емес, жартылай өткізгіш эпитаксисіндегі маңызды жылу өрісінің құрамдас бөлігі болып табылады. Бұл техникалық мақала пластинаның термиялық шекараларына, температураның таралуына және эпитаксиалды біркелкілікке әсер ету үшін сенсордың геометриясы, тегістігі, қалта дизайны, графит қасиеттері және CVD SiC жабынының сапасы қалай жұмыс істейтінін түсіндіреді. Ол сондай-ақ қабылдағыштың жалпы істен шығу режимдерін, жабынның деградациясын, бөлшектердің тәуекелдерін және реттелетін немесе ауыстырылатын эпитаксистік сенсорды көрсету кезінде қажетті негізгі инженерлік параметрлерді зерттейді.

CVD кремний карбиді жабыны бақыланатын газ-фазалық және беттік реакциялар арқылы жоғары тазалықтағы графитке тығыз SiC қабатын қою арқылы өндіріледі. Бұл мақалада субстратты дайындау, MTS негізіндегі CVD өсуі, нуклеация және масса алмасу, жабын қалыңдығы мен біркелкілігі, SiC/графит интерфейсінің кернеуі, жалпы ақаулар және жартылай өткізгіш дәрежесін тексеру түсіндіріледі. Ол сондай-ақ неліктен процесс параметрлері мен құрамдас геометрияны эпитаксияда және MOCVD-де қолданылатын сенсорлар мен пластинкалы тасымалдағыштар үшін бірге құрастыру керектігін көрсетеді.

Кремний карбиді жабыны - жартылай өткізгіштерді өңдеуде қолданылатын жоғары таза графит компоненттеріне қолданылатын тығыз CVD SiC қабаты. Бұл мақалада графиттің SiC неліктен қапталғаны, CVD SiC қалай түзілетіні, қандай жабын қасиеттері мен интерфейс факторлары өнімділікті бақылайтыны және SiC қапталған графит кремний эпитаксисі, SiC эпитаксисі және MOCVD қалай қолдайтыны түсіндіріледі. Ол сондай-ақ жабынның қалыңдығын, CTE сәйкессіздігін, қабаттасу қаупін және қабылдағыштарды, пластиналарды және басқа қапталған компоненттерді көрсету кезінде қажетті инженерлік ақпаратты зерттейді.

CVD SiC және TaC жабындарының термиялық тұрақтылыққа, ластануға, бөлшектерге және жартылай өткізгіш эпитаксисіндегі қайталануға қалай әсер ететіні туралы техникалық ақ қағаз, параметрлер кестелері, жабынды таңдау туралы шешім ағашы, ақаулық механизмдері және RFQ критерийлері бар.

8 дюймдік SiC қазір көлемді өндірісте, бірақ пластинаның өнімділігі - сыйымдылығы емес - жеңімпаздарды ажыратады. Бұл нұсқаулықта графиттің ыстық аймағының бөліктеріндегі TaC жабыны шығымдылықты неге шешетінін және жеткізушінің біліктілігін қалай анықтау керектігін түсіндіреді.

Заманауи чип өндірісінде субстрат физикалық қолдау мен жылуды тарату жолын қамтамасыз етеді, ал эпитаксиалды қабат құрылғының электрлік өнімділік шегін анықтайды. Бұл мақалада бір кристалды кремний мен кремний карбиді субстраттары мен CVD/MBE эпитаксиалды процестері арасындағы түбегейлі айырмашылықтарды терең талдау қарастырылған және эпитаксиалды технология ақау тығыздығын азайту және деформациялық инженерияны қосу арқылы жоғары жиілікті және жоғары вольтты құрылғылардың өнімділігін қалай жақсартатынын ашады. Сіз технологиялық инженер немесе сатып алу бойынша шешім қабылдаушы болсаңыз да, бұл нұсқаулық сізге ең қолайлы вафельді таңдау стратегиясын жылдам анықтауға көмектеседі.