Үлгі карта

Тұтынушы ұсынған физикалық үлгінің негізінде (тіпті ол тозған немесе сынған пайдаланылған бөлік болса да) біз физикалық құрылымның кері инженериясынан материал деңгейіндегі физикалық-химиялық сипаттамаға дейінгі толық спектрлі қызметті ұсынамыз. Жартылай өткізгішті жоғары дәлдіктегі тексеру жабдығын пайдалана отырып, біз күрделі 3D геометриялық құрылымдарды, жабын/субстрат интерфейсінің қасиеттерін және материалдың физикалық параметрлерін дәл өлшейміз, бұл кері өңделген өнімнің сәйкес келетініне немесе сәйкес келетініне көз жеткіземіз. физикалық жарамдылық, процесс үйлесімділігі және қызмет ету мерзімі (Form-Fit-Function Replacement) бойынша OEM стандарттарынан асып түседі.

Біз нені өлшейміз (техникалық жеткізілімдер):

• Өлшемдік және геометриялық төзімділіктер:Жоғары дәлдіктегі координаттарды өлшеу машиналарын (CMM) және оптикалық 3D сканерлерін пайдалана отырып, біз микрон деңгейіндегі дәлдікке қол жеткізе отырып, күрделі қуыс құрылымдарын және монтаждау/орналастыру саңылауларын толық өлшемді нүктелік бұлтты модельдеу мен қайта құруды орындаймыз.
• Беттің микро-морфологиясы және тегістігі:Нанометрлік масштабтағы беттің кедір-бұдырлығын (Ra) және кең аумақтың тегістігін бағалау үшін ақ жарық интерферометрлері мен оптикалық профилометрлерді пайдалану, пластинаны өңдеу және камераны тығыздау талаптарына сәйкес келеді.
• Edge микро мүмкіндіктері:Қаптаманың көтерілу морфологиясын оңтайландыру және жоғары температуралық қабаттасуды тудыруы мүмкін өткір бұрыштардағы кернеу концентрациясын болдырмау үшін жиектердің R-радиустары мен фаска микропрофильдерінің жоғары үлкейтілген кескіні.
• Графиттік субстрат және термиялық сәйкестік талдауы:Субстрат пен CVD жабыны арасындағы термиялық кернеу сәйкестігін қамтамасыз ету үшін жоғары таза графит субстратының тығыздығын, түйір өлшемін және термиялық кеңею коэффициентін (CTE) бағалау.
• Көлденең қима және интерфейсті жабу сапасы:Абсолютті қалыңдықты, CVD жабынының радиалды біркелкілігін және интерфейстің ену тереңдігін өлшеу үшін бұзылмайтын XRF және металлографиялық қиманың SEM талдауы.
• Фазалық құрылым және микрокристалды талдау:CVD SiC текше фазасының (β-SiC) тазалығын XRD арқылы бағалау; CVD TaC химиялық стехиометрия және кристалдық құрылым сипаттамаларын сапалық бағалау.

Нақты жағдай және тұтынушы артықшылықтары (тәжірибе):

12 дюймдік жартылай өткізгішті сызу компонентінің тұтынушысы:OEM жеткізілімі тоқтатылды; тек бір ғана тозған пайдаланылған бөлік қол жетімді болды. CMM кері модельдеу + SEM жабынының көлденең қимасын талдау арқылы біз 2 ай ішінде ешқандай түпнұсқа сызбаларсыз алмастырғыш бөлшектерді әзірлеуді және құралда сынауды аяқтап, орнатудың 100% сәйкестігіне қол жеткіздік. Сайып келгенде, құрамдас бөліктерді сатып алу циклі бастапқы 6 айлық импорттық жеткізу мерзімінен 2 айға дейін қысқарды, бірлікті сатып алу құны 42%-ға төмендеді және бұл модель 30-дан астам партияға тұрақты түрде жеткізілді.

SEM жабынының көлденең қимасында кремний карбиді (SiC) жабыны

Жиі қойылатын сұрақтар

Эксклюзивті қызметіңізді қазір бастаңыз