MOCVD технологиясы

VeTek Semiconductor компаниясының MOCVD Technology қосалқы бөлшектерінде артықшылығы мен тәжірибесі бар.

MOCVD, металл-органикалық химиялық будың тұндыруының (металл-органикалық химиялық будың тұндыру) толық атауы, сонымен қатар металл-органикалық бу фазасының эпитаксисі деп атауға болады. Металл органикалық қосылыстар — металл-көміртек байланыстары бар қосылыстар класы. Бұл қосылыстарда металл мен көміртек атомы арасындағы кем дегенде бір химиялық байланыс бар. Металл-органикалық қосылыстар көбінесе прекурсорлар ретінде пайдаланылады және әртүрлі тұндыру әдістері арқылы субстратта жұқа қабықшалар немесе наноқұрылымдар құра алады.

Металл-органикалық химиялық буларды тұндыру (MOCVD технологиясы) кең таралған эпитаксиалды өсу технологиясы болып табылады, MOCVD технологиясы жартылай өткізгіш лазерлер мен жарықдиодтарды өндіруде кеңінен қолданылады. Әсіресе жарықдиодты шамдарды өндіру кезінде MOCVD галлий нитриді (GaN) және онымен байланысты материалдарды өндірудің негізгі технологиясы болып табылады.

Эпитаксияның екі негізгі түрі бар: сұйық фазалық эпитаксия (LPE) және бу фазалық эпитаксия (VPE). Газ фазасының эпитаксиясын одан әрі металл-органикалық химиялық булардың тұндыру (MOCVD) және молекулалық сәуле эпитаксисі (MBE) бөлуге болады.

Шетелдік жабдық өндірушілері негізінен Aixtron және Veeco компаниялары болып табылады. MOCVD жүйесі лазерлерді, жарықдиодтарды, фотоэлектрлік компоненттерді, қуатты, РЖ құрылғыларын және күн батареяларын өндіруге арналған негізгі жабдықтардың бірі болып табылады.

Біздің компания шығаратын MOCVD технологиясының қосалқы бөлшектерінің негізгі ерекшеліктері:

1) Жоғары тығыздық және толық инкапсуляция: тұтастай алғанда графит негізі жоғары температурада және коррозиялық жұмыс ортасында, беті толығымен оралған болуы керек және жақсы қорғаныс рөлін атқару үшін жабын жақсы тығыздалған болуы керек.

2) Жақсы бет тегістігі: монокристалды өсіру үшін қолданылатын графит негізі өте жоғары бет тегістігін қажет ететіндіктен, жабын дайындалғаннан кейін негіздің бастапқы тегістігі сақталуы керек, яғни жабын қабаты біркелкі болуы керек.

3) Жақсы байланыстыру беріктігі: графит негізі мен жабын материалы арасындағы жылу кеңею коэффициентіндегі айырмашылықты азайтыңыз, бұл екеуінің арасындағы байланыстыру беріктігін тиімді жақсарта алады және жабын жоғары және төмен температурадағы қызуды бастан кешіргеннен кейін жарылуы оңай емес. цикл.

4) Жоғары жылу өткізгіштік: жоғары сапалы чиптің өсуі жылдам және біркелкі жылуды қамтамасыз ету үшін графит негізін қажет етеді, сондықтан жабын материалы жоғары жылу өткізгіштікке ие болуы керек.

5) Жоғары балқу температурасы, жоғары температураның тотығуға төзімділігі, коррозияға төзімділігі: жабын жоғары температурада және коррозиялық жұмыс ортасында тұрақты жұмыс істей алуы керек.

4 дюймдік субстратты қойыңыз
Жарықдиодты өсіруге арналған көк-жасыл эпитаксия
Реакциялық камерада орналасады
Вафельмен тікелей байланыс 4 дюймдік субстратты қойыңыз
Ультракүлгін жарықдиодты эпитаксиалды пленканы өсіру үшін қолданылады
Реакциялық камерада орналасады
Вафельмен тікелей байланыс Veeco K868/Veeco K700 машинасы
Ақ жарық диоды эпитаксисі/Көк-жасыл жарық диодты эпитаксисі VEECO жабдықтарында қолданылады
MOCVD эпитаксисі үшін
SiC жабынының сенсоры Aixtron TS жабдығы
Терең ультракүлгін эпитаксия
2 дюймдік субстрат Veeco жабдықтары
Қызыл-сары жарықдиодты эпитаксия
4 дюймдік вафельді субстрат TaC қапталған сенсор
(SiC Epi/UV жарықдиодты қабылдағыш) SiC қапталған сенсор
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD қабылдағыш)