SIC жабылған терең ультракүлгін сәуле шығарды

SIC жабылған терең ультракүлгін сәуле шығаратын сусцептор - бұл негізгі мойынтірек компонентіMocvd (металл органикалық бумалық түсі) Жабдық. Сусептурезі тереңдікке, қалыңдықпен басқаруға және терең ультракүлгін сәулелендірілген эпитаксиалды өсудің, әсіресе алюминаксиалды қабаттың өсуіне, алюминаксиальды қабаттың өсуіне, алюминаксиальды қабаттың өсуіне, сезімталдық пен өнімділікке өте әсер етеді.

SIC Қапталған терең ультракүлгін сәуле шығаратын сусцептор эпитаксиді тереңдетілген эпитакси үшін арнайы оңтайландырылған және дәл технологиялық талаптарға жауап беретін жылу, механикалық және химиялық экологиялық сипаттамаларға негізделген.

Ветек жартылайдюсторы температуралық градиенттен туындаған эпитаксиальды қабаттың біркелкі өсуіне жол бермеу үшін, сусцептордың біркелкі жылу бөлуін қамтамасыз ету үшін жетілдірілген өңдеу технологиясын қолданады. Дәлдік өңдеу бетінің кедір-бұдырын, бөлшектердің ластануын азайтады және вафлидің беткі қабатының жылу өткізгіштік тиімділігін жақсартады.

Vetek жартылай өткізгіш SGL графитін материал ретінде пайдаланады, ал беті қарастырыладыCVD SIC жабыны, NH3, HCL және ұзақ уақытқа жоғары температураға төтеп бере алады. Vetek жартылай өткізгіштің SIC жабылған ең терең ультракүлгін сәуле шығарған сусепторға арналған сусептуред, эфирдің эпитаксие вафлидерінің жылу кеңею коэффициентіне сәйкес келеді, бұл процесте термиялық стресстен туындаған вафли немесе крекинг.

Ең бастысы, Ветек Жартылай өткізгіштің SIC-пен қапталған SIC Seat UV-ге арналған SIC-пенгі сусептор Mocvd жабдықтарына жақсы бейімделеді (оның ішінде Veepo K465I, EPIK 700, Aixtron Clius және т.б.). Вафли мөлшері үшін теңшелген қызметтерді қолдайды (2 ~ 8 дюйм), вафли ұясының дизайны, технологиялық температура және басқа да талаптар.

Қолдану сценарийлері:

● Терең ультракүлгін сәуле дайындау: 260 жастан төмен диапазондағы құрылғылардың эпитаксиалдық процесіне (ультракүлгін тигізетін дезинфекция, зарарсыздандыру және басқа өрістер) қолданылады.

● Нитрид жартылай өткізгіш эпитакси: Галлий нитриді (GAN) және алюминий нитридi (aln) сияқты жартылай өткізгіш материалдарды эпитаксиалды дайындау үшін қолданылады.

● Зерттеу деңгейі эпитаксиалды эксперименттер: УК эфирлік эпитакси және университеттер мен ғылыми-зерттеу институттарындағы эксперименттер.

Күшті техникалық команданың қолдауымен Ветек жартылайдеттемесі клиенттердің қажеттіліктеріне сәйкес ерекше сипаттамалары мен функциялары бар, нақты өндірістік процестерді қолдайды және ұзақ мерзімді қызметтерді ұсынады.

CVD-дің SIC жабынының SEM мәліметтері:

CVD-дің негізгі физикалық қасиеттері:

Ол жартылай өткізгішSIC Қапталған терең ультракүлгін сәуле шығаратын сусциптер дүкендері: