Кеуекті графит

SiC субстрат өндірушілері әдетте ыстық өріс процесі үшін кеуекті графит цилиндрі бар тигель дизайнын пайдаланады. Бұл дизайн булану аймағын және заряд көлемін арттырады. Кристалл ақауларын жою, масса алмасуды тұрақтандыру және SiC кристалының сапасын жақсарту үшін жаңа процесс әзірленді. Ол термиялық кеңею және кернеуді жеңілдету үшін дәнсіз кристалды науаны бекіту әдісін қамтиды. Дегенмен, тигельді графит пен кеуекті графиттің шектеулі нарықтық жеткізілімі SiC монокристалдарының сапасы мен шығымдылығына қиындықтар туғызады.

VeTek жартылай өткізгіш кеуекті графитінің негізгі ерекшеліктері:

1. Жоғары температураға төзімділік - Өнім тамаша ыстыққа төзімділігін көрсете отырып, 2500 градус Цельсий ортасына төтеп бере алады.

2. Кеуектілікті қатаң бақылау - VeTek Semiconductor тұрақты өнімділікті қамтамасыз ете отырып, кеуектілікті қатаң бақылауды қамтамасыз етеді.

3.Ультра жоғары тазалық - Пайдаланылған кеуекті графит материалы қатаң тазарту процестері арқылы жоғары тазалық деңгейіне жетеді.

4.Үстіңгі бөлшектерді тамаша байланыстыру мүмкіндігі - VeTek Semiconductor беттік бөлшектерді тамаша байланыстыру қабілетіне және ұнтақ адгезиясына төзімділікке ие.

5.Газдың тасымалдануы, диффузиясы және біркелкілігі - Графиттің кеуекті құрылымы газдың тиімді тасымалдануы мен диффузиясын жеңілдетеді, нәтижесінде газдар мен бөлшектердің біркелкілігі жақсарады.

6.Сапаны бақылау және тұрақтылық - VeTek Semiconductor жоғары тазалықты, төмен қоспаларды және кристалдардың өсуін қамтамасыз ету үшін химиялық тұрақтылықты көрсетеді.

7. Температураны бақылау және біркелкілік - Кеуекті графиттің жылу өткізгіштігі өсу кезінде кернеу мен ақауларды азайтып, температураны біркелкі бөлуге мүмкіндік береді.

8.Жақсартылған еріген заттардың диффузиясы және өсу жылдамдығы - Кеуекті құрылым кристалдардың өсу жылдамдығы мен біркелкілігін арттыра отырып, еріген заттардың біркелкі таралуына ықпал етеді.