Sic Crystal өсуі кеуекті графит

SiC Crystal Growth кеуекті графиті - кеуекті графиттен жасалған, жоғары реттелетін кеуекті құрылымы бар материал. Жартылай өткізгішті өңдеуде ол тамаша жылу өткізгіштік, жоғары температураға төзімділік және химиялық тұрақтылықты көрсетеді, сондықтан ол физикалық буларды тұндыру, химиялық бу тұндыру және басқа процестерде кеңінен қолданылады, өндіріс процесінің тиімділігін және өнім сапасын айтарлықтай жақсартады, оңтайландырылған жартылай өткізгішке айналады. Өндірістік жабдықтың өнімділігі үшін маңызды материалдар.

PVD процесінде SIC Crystal өсуінің кеуекті графиті әдетте субстрат қолдау немесе арматура ретінде қолданылады. Оның функциясы - вафлиді немесе басқа субстраттарды қолдау және драйв өткізу кезінде материалдың тұрақтылығын қамтамасыз ету. Кеуекті графиттің жылу өткізгіштігі, әдетте, 80 Вт / м / м / м / м / м / м / м / м / м / м / м / м / м / м / маңында, бұл кеуекті графитті тез және біркелкі жүргізуге мүмкіндік береді, осылайша жергілікті қызып кетуді болдырмайды, осылайша жұқа қабықшалардың тиімділігін болдырмайды, бұл процестердің тиімділігін арттырады .

Сонымен қатар, SiC Crystal Growth кеуекті графитінің типтік кеуектілік диапазоны 20% ~ 40% құрайды. Бұл сипаттама вакуумдық камерадағы газ ағынын таратуға көмектеседі және тұндыру процесі кезінде газ ағынының пленка қабатының біркелкілігіне әсер етуін болдырмайды.

CVD процесінде SiC Crystal Growth кеуекті графитінің кеуекті құрылымы газдардың біркелкі таралуы үшін тамаша жолды қамтамасыз етеді. Реактивті газ жұқа қабықша түзу үшін газ фазалық химиялық реакция арқылы субстрат бетіне түседі. Бұл процесс реактивті газдың ағыны мен таралуын дәл бақылауды талап етеді. Кеуекті графиттің 20% ~ 40% кеуектілігі газды тиімді бағыттай алады және оны субстрат бетіне біркелкі тарата алады, бұл тұндырылған пленка қабатының біркелкілігі мен консистенциясын жақсартады.

Кеуекті графит әдетте CVD жабдығында пеш түтіктері, субстрат тасымалдаушылары немесе маска материалдары ретінде пайдаланылады, әсіресе жоғары тазалықтағы материалдарды қажет ететін және бөлшектердің ластануына өте жоғары талаптары бар жартылай өткізгіш процестерде. Сонымен қатар, CVD процесі әдетте жоғары температураны қамтиды, ал кеуекті графит өзінің физикалық және химиялық тұрақтылығын 2500 ° C-қа дейінгі температурада сақтай алады, бұл оны CVD процесінде таптырмас материал етеді.

Кеуекті құрылымына қарамастан, SIC Crystal өсуінің кеуекті графиті әлі де 50 МПа-ның сығымдау күші бар, бұл жартылай өткізгіш өндіріс кезінде пайда болған механикалық кернеуді жеңуге жеткілікті.

Қытайдың жартылай өткізгіш өнеркәсібіндегі кеуекті графиялық өнімдердің жетекшісі ретінде Ветексеми әрқашан өнімді теңшеу қызметтерін және өнімнің қанағаттанарлық бағаларын қолдады. Сіздің нақты талаптарыңыз қандай болмасын, біз сіздің кеуекті графитіңіздің ең жақсы шешіміне сәйкес келмейміз және кез-келген уақытта кеңесіңізді күтеміз.

SIC Crystal өсуінің негізгі физикалық қасиеттері Кеуекті графитті:

Ветек жартылай өткізгіш SIC Crystal өсуі Кіші графитті графиттік дүкендер:

Жартылай өткізгіш чипке шолу Epitaxy Industry: