Кеуекті графит бағыттаушы сақина

Өнімнің негізгі артықшылықтары

1. Өте жоғары тазалық және төмен ақаулық кепілдігі

Өнім тазалығын ≥99,9995% дейін арттыра отырып, оттегі мен азот сияқты металл емес қоспаларды терең тазарту үшін 3000℃ вакуумдық жоғары температурада тазарту процесін қабылдайды. Ол қоспадан туындаған кристалдық ақауларды (мысалы, микротүтікшелер, дислокациялар) көзден жояды, SiC монокристалдарының электрлік қасиеттерінің консистенциясы мен тұрақтылығын қамтамасыз етеді және кристалдардың жоғары сапалы өсуі үшін берік негіз қалады.

2. Өте жоғары температура тұрақтылығы және термиялық өрісті дәл реттеу

Аргон немесе вакуумдық ортада 2200 ℃ төтенше жоғары температураға төтеп бере алады, жұмсартпай немесе деформациясыз 1000 сағаттан астам үздіксіз және тұрақты жұмыс істейді. Өнімнің термиялық кеңею коэффициенті төмен, ол термиялық кернеуден туындаған материалдың крекингін тиімді болдырмайды. Ол кеуектіліктің градиентті таралу дизайнын қолдайды (15-30%) және ±3℃ шегінде температура градиентінің ауытқуын басқара отырып және жылу өрісінің біркелкілігі мен кристалдық өсу консистенциясын айтарлықтай жақсарта отырып, CFD (есептік сұйықтық динамикасы) модельдеу технологиясымен біріктірілген кеуек өлшемін (10-200 мкм) оңтайландырады.

3. Бейімделу және толық сценарийді қанағаттандыру

• Геометриялық пішінді бейімдеу: мінсіз сәйкестік пен орнатуға қол жеткізу үшін тұтынушылардың пеш құрылымдарына сәйкес сақиналы бөшкелер және көп қабатты қалқан құрылымдары сияқты күрделі пішіндерді дәл өңдей алады.
• Беттік процесті теңшеу: өнімнің коррозияға төзімділігін және қызмет ету мерзімін айтарлықтай арттыра отырып, ультра дәлдіктегі жылтырату және арнайы жабындар сияқты бетті өңдеу бойынша жеке қызметтерді ұсынады.

4. Өнімділік тексерілді және тиімділік жаңартылды

• PVT SiC кристалдану процесінде негізгі жылу өрісінің құрамдас бөлігі ретінде пайдаланылған кезде, ол практикалық сценарийлерде тексерілді:
• Кристаллдың өсу қарқыны дәстүрлі графит өнімдерімен салыстырғанда 15%-20%-ға артып, өндіріс циклін айтарлықтай қысқартады.
• 4 дюймдік SiC монокристалды пластинаның өнімділігі 90% -дан асады, бұл өндіріс шығындарын тиімді төмендетеді.
• Жабдыққа техникалық қызмет көрсету циклі кәдімгі 3 айдан 6 айға дейін ұзартылды, бұл өшірулерге техникалық қызмет көрсету жиілігін азайтады және өндіріс тиімділігін арттырады.
  
  

Қолдану сценарийлері

• ПВТ өсу пешінің жинағы: кристалдану процесінің бірқалыпты жүруін қамтамасыз ету үшін жылу өрісінің тұрақты және біркелкі таралуын қамтамасыз ететін SiC материалын сублимациялау және кристалды өсіру үшін негізгі компонент ретінде қызмет етеді.
• Жылу өрісін қорғайтын компонент: Бірегей кеуекті құрылым термиялық кернеуді тиімді буферлей алады, жабдықтың тозуын азайтады және жабдықтың жалпы қызмет ету мерзімін ұзартады.
• Тұқымдық кристалды қолдауға арналған аксессуар: тұқымдық кристалдарды тұрақты түрде қолдау үшін жоғары механикалық беріктікке ие, кристалдардың бағытталған өсуінің дәлдігін қамтамасыз етеді.
• Газ диффузиялық қабаты: газ-фазалық тасымалдау тиімділігін оңтайландырады, біркелкі сублимацияға және шикізаттың тұндырылуына ықпал етеді және монокристалды сапасы мен өсу жылдамдығын одан әрі жақсартады.

Техникалық параметрлер

Бәсекелестіктің негізгі сәттері

• Төтенше жоғары температура өнімділігі: 2200℃ температурада жұмсартусыз немесе деформациясыз құрылымдық тұрақтылықты сақтайды, экстремалды технологиялық талаптарды қанағаттандыру үшін 1000 сағаттан астам үздіксіз жұмысты қолдайды.
• Теңшелетін жылу өрісі шешімі: тері градиентінің дизайнын оңтайландыру, тұтынушылардың технологиялық қажеттіліктерін дәл сәйкестендіру және кристалдардың біркелкілігі мен өнім шығымдылығын арттыру үшін CFD модельдеу технологиясына сүйенеді.
• Жылдам әрекет ету қызметі: процесс параметрлерін сәйкестендіру сынақ қызметтерін ұсынады және 72 сағат ішінде прототиптік шешімдерді жеткізеді, бұл тұтынушыларға ҒЗТКЖ және өндіріс процестерін жеделдетуге көмектеседі.