QR коды
Біз туралы
Өнімдер
Бізбен хабарласыңы


Факс
+86-579-87223657

Электрондық пошта

Мекенжай
Ванда жолы, Зиян көшесі, Вуйи округі, Цзиньхуа қаласы, Чжэцзян провинциясы, Қытай
Сәйкес субстрат пен жабын комбинациясын таңдау компоненттің мерзімінен бұрын істен шығуын болдырмаудың, бөлшектердің ластануын азайтудың және пластинаның шығымдылығын арттырудың кілті болып табылады. Біз тапсырыс берушінің арнайы технологиялық терезесінің (жұмыс температурасы, реактивті газ химиясы, рампа жылдамдығы) айналасында арнайы материалды және құрылымдық дизайн шешімдерін ұсынамыз.
| Қаптау | Әдеттегі қолдану нұсқаулары | Негізгі артықшылықтар |
|---|---|---|
| CVD SiC | Si/SiC эпитаксисі (Эпи), MOCVD, жартылай плазмалық өрнектеу | Жоғары тазалық, жақсы термиялық тұрақтылық, химиялық коррозияға төзімділік, жоғары жалпы шығындар өнімділігі |
| CVD TaC | Жоғары температурадағы SiC монокристалды өсімі (PVT), экстремалды жоғары температурада жүк көтергіш компоненттер | Жоғары температура рейтингі (>1600 °C), күшті коррозияға төзімділік, тамаша тотығуға төзімділік |
Жетекші SiC эпитаксисінің (Epi) өндірушісі:Түпнұсқа компонент сәйкес келмейтін CVD TaC жабынын қолданды, бұл шамадан тыс аралық кернеуге және жоғары температурада жиі микро-жарықтарға әкеледі. Біз термодинамикалық модельдеуді қайта жүргізіп, аCTE сәйкес жоғары таза графиттік субстрат + буферлік қабат + CVD SiC жабынышешім. Нәтиже: құрамдас бөліктің орташа қызмет ету мерзімі 200 сағаттан 850 сағатқа дейін өсті; бір құралды ауыстырудың жылдық жиілігі 40-тан 9 есеге дейін төмендеді; кешенді жабдықты жөндеу және жөндеу шығындарын үнемдеу жылына 650 000 юаннан асты.
TaC және SiC жабындары үшін GDMS тазалығын талдау есебі
A:Процесс температурасына және газ фазасының коррозия қарқындылығына қараңыз. Егер процесс температурасы 1000 °C-тан төмен болса және негізінен Cl₂/F₂ негізіндегі оюлауды немесе әдеттегі эпитаксиканы қамтыса, таңдаңыз.CVD SiCең жақсы құны бойынша өнімділік үшін; егер процесс температурасы 1200 °C-тан асса және қатты коррозияға ұшырайтын атмосфераны қамтыса (мысалы, SiC PVT монокристалды өсімі), біз ұсынамызCVD TaC, ол жоғары температура мен коррозияға төзімділікті ұсынады. Біз сіздің нақты процесс параметрлеріңізге негізделген таңдау бойынша тегін ұсыныс есебін ұсына аламыз.
A:Иә! Кері инженерлік прототиптер үшін,MOQ 1 дана. Кәдімгі қарапайым бөлшектер үшін үлгіні алудан бастап картаға түсірілген бөлікті жеткізуге дейін ең жылдам жеткізу уақыты шамамен.10-15 жұмыс күні; күрделі жабу процестерін қамтитын бөлшектер үшін шамамен20-25 жұмыс күні. Жедел бағалау үшін инженерлерімізге хабарласыңыз.
A:Деламинация жағдайларының 90%-ы графиттік субстрат пен жабынның термиялық кеңею коэффициенті (CTE) арасындағы сәйкессіздіктен туындайды, бұл жылдам қыздыру/салқындату кезінде шаршау пилингіне әкеледі. Біздің шешіміміз: алдымен бастапқы бөліктің CTE қисығын дәл өлшеңіз, содан кейін екі CTE жоғары сәйкес келетіндей субстрат тығыздығы мен тұндыру температурасының градиентін арнайы реттеңіз. Байланыстың беріктігін одан да көп жақсартуға болады1,5 есеөнеркәсіптің дәстүрлі деңгейі.
A:Әрбір жөнелтілген өнім стандартты түрде жеткізіледібірегей сериялық нөмір + толық CoA есебі. Есепке мыналар кіреді: сыни өлшемді CMM тексеру деректері, көп нүктелі жабын қалыңдығын бөлу картасы, беттің кедір-бұдырлығы (Ra) мәндері және материал тазалығы (GDMS) талдау қорытындылары.
Телефон: +86-18069220752(Тина);+86-15988690905(Сера)
Электрондық пошта: anny@veteksemi.com