Жаңалықтар

Кремний карбиді (SIC) кристалды өсу пеші келесі буындық жартылай өткізгіш құрылғыларға арналған жоғары сапалы ӘЖ-нің вафли өндірісінде маңызды рөл атқарады. Алайда, жоғары сапалы SIC кристалдарын өсіру процесі айтарлықтай қиындықтарды ұсынады. Термиялық градиенттерді басқарудан бастап кристалды ақауларды азайту, біркелкі өсуді қамтамасыз ету және өндіріс шығындарын бақылау және әр қадам, әр қадам озық инженерлік шешімдерді қажет етеді. Бұл мақалада SIC Crystal өсу пешінің техникалық мәселелерін бірнеше перспективалардан талдайды.

Smart Cut - ультра жұқа және жоғары біртекті және жоғары біркелкі 3С-секті (кубикалық кремний карбиді) ультрадыбыспен және вафлиге негізделген жартылай өткізгішті шығару процесі. Ол ультра жұқа кристалды материалдарды бір субстраттан екінші субстраттан екіншісіне жеткізе алады, осылайша бастапқы физикалық шектеулерді бұзады және бүкіл субстрат саласын өзгертуі мүмкін.

Жоғары сапалы және жоғары өнімді кремний карбидінің субстраттарын дайындауда, ядро ​​өндіріс температурасын жақсы жылулық дала материалдарымен нақты бақылауды қажет етеді. Қазіргі уақытта жылтылдық өрістері негізінен жоғары сапалы топтар - бұл жоғары тазалық графитті құрылымдық компоненттер, олардың функциялары балқытылған көміртегі ұнтағы мен кремний ұнтағын жылу, сондай-ақ жылуды сақтау.

Үшінші буын жартылай өткізгіштерін көргенде, сіз бірінші және екінші буынның не екенін білесіз. Мұндағы «ұрпақ» жартылай өткізгіш өндірісінде қолданылатын материалдар негізінде жіктеледі.

Электростатикалық Чак (ESC), сонымен қатар электростатикалық Чак (ESC, e-Chuck) деп аталады, бұл электростатикалық адсорбция принципін қолданып, адсорбцияланған материалдарды ұстау қағидасын қолданады. Ол вакуумдық және плазмалық орталарға жарамды.

SIC вафли тасымалы, үшінші буын жартылай өткізгіштер тізбегіндегі негізгі шығын материалдары ретінде олардың техникалық сипаттамалары эпитаксиальды өсу мен құрылғыны өндірудің кірістілігіне тікелей әсер етеді. 5G базалық станциялары мен жаңа энергетикалық көліктер сияқты жоғары вольтты және жоғары температуралы құрылғыларға сұраныспен, мысалы, 5G базалық станциялары, ӘЖК вафли-вафлиді зерттеу және қолдану қазір даму мүмкіндіктеріне тап болды.