Жаңалықтар

MOCVD эпитаксистік графиттік сенсорлардағы кремний карбиді жабынының жиектерінің сарғаюының және қабыршақтануының себептерін терең талдау. VeTek бастапқы CVD тұндыру жылдамдығын және ағын өрісін дәл бақылау, жабынның шығымдылығын 50%-дан 90%-ға дейін арттыру және тазалығы жоғары графит бөліктерінің қызмет ету мерзімін ұзарту арқылы микро кернеуді жойды.

Көп қалталы кремний эпитаксистік графитті сенсорлардағы қалтадан қалтаға дейін қалыңдығының 1,4% өзгеруіне жауап бере отырып, VeTek Semi қабылдағыш тегістігін <0,08 мм дейін жақсартты және CVD ағынының өрісін модельдеу және өте дәлдіктегі SiC жабыны арқылы вафельді жоғарылату арқылы вариацияны 0,69% дейін азайтты.

Vetek үлкен өлшемді MOCVD SiC қапталған графиттік сенсорлардағы радиалды крекингті қалай жойғанын біліңіз. Құрылымдық кернеу буферінің қайта дизайны және CTE сәйкестігі қызмет мерзімін 300%+ ұзартты.

SiC эволюциясының онжылдығы — бастапқы 4 дюймдік коммерцияландыру қиындықтарынан бүгінгі 8 дюймдік вафельді ауысуға дейін. CVD SiC жабындары, қатты SiC және TaC материалдары сенімді жартылай өткізгіштерді өндіруге қалай мүмкіндік беретінін табыңыз.

CVD SiC қапталған графит сенсорлары жылу біркелкілігін жақсарту, ластануды азайту және SiC, GaN, жарықдиодты және кремний жартылай өткізгіштерін өндірудегі құрамдастардың қызмет ету мерзімін ұзарту арқылы эпитаксиалды өсуді қалай жақсартатынын біліңіз.

TaC жабыны бар графит жылытқыштары әдеттегі pBN жабыны бар жылытқыштармен салыстырғанда GaN MOCVD эпитаксисінде температураның біркелкілігін қалай жақсартатынын, қуат тұтынуды азайтатынын және қызмет ету мерзімін ұзартатынын табыңыз.

CVD TaC жабыны көміртегі ластануын азайту, графит компоненттерін қорғау, қызмет ету мерзімін ұзарту және жетілдірілген жартылай өткізгіш өндірісі үшін кристалл сапасын жақсарту арқылы PVT пештерінде SiC кристалының өсуін қалай жақсартатынын біліңіз.

CVD TaC жабынының неліктен жартылай өткізгіш графит компоненттері үшін таңдаулы қорғаныс шешіміне айналатынын біліңіз. Оның артықшылықтарын, SiC кристалының өсуін, GaN MOCVD және вафельді тасымалдаушылардағы қолданбаларды және оның беріктігін, тазалығын және процесс тұрақтылығын қалай жақсартатынын біліңіз.

VETEK пиролитикалық көміртекті (PyC) қапталған графит сақиналары SiC кристалының өсуі, эпитаксис, CVD және жоғары температуралы жартылай өткізгіш процестерінде термиялық тұрақтылықты қалай жақсартатынын, ластануды азайтатынын және құрамдастардың қызмет ету мерзімін ұзартатынын біліңіз.

CVD TaC жабыны ультра жоғары термиялық тұрақтылық, коррозияға төзімділік, қоспаларды басу және MOCVD және эпитаксия қолданбаларында жоғары өнімділікпен SiC кристалының өсуін және жартылай өткізгіш өндірісін қалай жақсартатынын біліңіз.

Жоғары температурадағы SiC эпитаксистік жүйелеріне арналған негізгі Aixtron G10 компоненттерін қараңыз. We cover CVD SiC coated graphite parts, TaC coating components, and thermal field structures – and how they help with process stability, purity control, and wafer yield in advanced semiconductor manufacturing.

LPE реакция камерасында Halfmoon компоненті не екенін және оның SiC эпитаксистік жүйелеріндегі термиялық тұрақтылықты, газ ағынын басқаруды және реактор құрылымын қалай қолдайтынын біліңіз. Графит материалдарын, CVD SiC жабындарын, TaC жабындарын және жартылай өткізгіш реакторлардың заманауи технологияларын зерттеңіз.

MicroLED кірістілік көрсеткіштерімен күресіп жатырсыз ба? Термиялық кернеу мен бөлшектердің ластануын шешу үшін сала көшбасшыларының неге SiC субстраттарына және TaC-жабылған MOCVD компоненттеріне ауысатынын біліңіз. Келесі буын GaN дисплейлері үшін CVD SiC техникалық қырын біліңіз

CVD SiC жабынының жартылай өткізгіш процестерде, оның ішінде оның құрылымын, өнімділік сипаттамаларын және типтік қолданбаларын, сонымен қатар жоғары температуралық қолданбалардағы өзектілігін зерттеңіз.

CVD Solid SiC инвестициялауға тұрарлық па? Монолитті SiC ROI мен дәстүрлі графит жабындарын салыстырыңыз. Жоғары плазмалық төзімділік пен ұзартылған MTBC 12 дюймдік HVM желілері үшін пластинаның қалдықтарының төмен жылдамдығына және жабдықтың жоғары жұмыс уақытына қалай ауысатынын біліңіз.

Жоғары таза материалдар жартылай өткізгіштерді өндіру үшін өте қажет. Бұл процестерге қатты қызу және коррозиялық химиялық заттар кіреді. CVD-SiC (Химиялық бумен тұндыру кремний карбиді) қажетті тұрақтылық пен беріктікті қамтамасыз етеді. Қазір ол жоғары тазалығы мен тығыздығына байланысты жетілдірілген жабдық бөлшектері үшін негізгі таңдау болып табылады.