Үш жапырақ графиті

Ветек жартылай өткізгіштің үш жапырақшалығы кремний кремнийінің өсіміне арналған, CZ әдісімен, үш жапырақшасы графитті графитті графитті графитті графитті графиттен жасалған. Дәстүрлі үш жапырақшалық құрылым арқылы дәстүрлі интеграцияланған күрделі қиындықтар, термиялық стресстің шоғырлануын және басқа да салалық ауырсыну нүктелерін тиімді шешуі мүмкін және фотоэлектрлік кремний вафлиінде, жартылай өткізгіш вафли және басқа да жоғары өндірістік кен орындарында кеңінен қолданылады.

Негізгі процестің негізгі сәттері

1. Ультра дәлдік графитті өңдеу технологиясы

Материалды тазалық: Силиконның балқыту процесінде нөлдік ластануды қамтамасыз ету үшін AsostATITER CREATED графитінің субстратын пайдалану <5ppm, егер қажет болса, ал әдетте <10ppm, силикон балқыту процесінде ластануды қамтамасыз етеді

Құрылымдық нығайту: 2200 ℃-де галстук түскеннен кейін, иілу күші - γ45MPA, және жылу кеңею коэффициенті - ≤4.6 × 10⁻⁶ / ℃

Беттік өңдеу: 10-15 мкм пиролитикалық көміртекті жабыстыру Тотығу кедергісін жақсарту үшін CVD процесі сақталады (салмақ жоғалту <1.5.2./100h@1600℃).

2. Инновациялық үш жапырақшалық құрылымның дизайны

Модульдік құрастыру: 120 ° EQuphartItition Үш лоб, қондырғы және бөлшектеу тиімділігі 300% артты

Стресс-реңктеу дизайны: Бөлу құрылымы жылу кеңеюін тиімді түрде таратады және қызмет ету мерзімін 200-ден астам циклге дейін созады

Дәлдік FIT: Клапандар арасындағы алшақтық <0,1м, ал жоғары температурада керамикалық жабысқақ кремний балқыту процесінде нөлден ағуды қамтамасыз етеді

3. Жеке өңдеу қызметтері

Қолдау φ16 «-φ40» Толық өлшемді теңшеу, қабырға қалыңдығы төзімділікті басқару ± 0,5 мм

Жылу өрісін оңтайландыру үшін градиент тығыздығы 1.83g / CM³ таңдалуы мүмкін

Борон нитридінің композиттік жабыны және рений металл жиегін нығайту сияқты құнды емес процестерді қамтамасыз ету

Типтік қосымшалар сценарийі

Фотоэлектрлік өнеркәсіп

Монокристалды кремний өзегі Үздіксіз сурет: G12 үлкен өлшемді кремний вафли өндірісі үшін жарамды, ≥500 кг жүк тиеу қабілетін қолдау

N-type topcon батареясы: Ультра төмен қоспалардың көші-қоны азшылық өміріне кепілдік береді> 2М

Жылу өрісін жаңарту: негізгі бір кристалды пештің модельдерімен үйлесімді (PVI, Ferrorotec және т.б.)

Жартылай өткізгіш өндірісі

8-12 дюймдік жартылай өткізгіштік Монокондукциялы кремнийдің өсуі: жартылай стандартты класс-10-ға сәйкес келеді

Арнайы допед кристалдары: бор / фосфор таратудың біркелкілігін нақты бақылау

Үшінші буын жартылай өткізгіш: үйлесімді SIC жалғыз кристалды дайындық процесі

Ғылыми зерттеу саласы

Ғарыштық күн жасушаларына ультра жұқа кремний вафаларын зерттеу және дамыту

Жаңа кристалды материалдардың өсу сынағы (Германия, галлий арсендиі)

Параметрді шектеу (3000 ₸ 3000 ₸ ультра жоғары температураны балқыту эксперименті)

Сапаны қамтамасыз ету жүйесі

ISO 9001/14001 Қос жүйелік сертификаттау

Клиенттер үшін материалдарды сынау туралы есеп беру (XRD композициялық талдау, SEM микроқұрылымы)

Барлық процестерді бақылау жүйесі (лазерлік таңбалау + блокчинді сақтау)