CVD TaC қапталған сенсоры

Өнімнің анықтамасы және құрамы

VETEK CVD TaC қапталған қабылдағыш - үшінші буын жартылай өткізгіштерді (SiC, GaN, AlN) эпитаксиалды өңдеу үшін арнайы пайдаланылатын жоғары сапалы пластинаны тасымалдаушы компонент. Бұл өнім екі жоғары өнімді материалдың физикалық артықшылықтарын біріктіреді:

Жоғары таза графит субстрат: Субстраттың жоғары құрылымдық беріктігін, жоғары тығыздықты және термиялық өңдеу тұрақтылығын қамтамасыз ету үшін изостатикалық престеу қалыптау процесін пайдаланады.

CVD TaC жабыны: Тығыз, кернеусіз тантал карбиді (TaC) қорғаныс қабаты графит бетінде озық химиялық буларды тұндыру (CVD) технологиясы арқылы өсіріледі.

Негізгі техникалық артықшылықтар: ерекше экстремалды ортаға бейімделу

MOCVD процесінде TaC жабыны физикалық қорғаныс қабаты ғана емес, сонымен қатар процестің қайталануын қамтамасыз ететін негізгі болып табылады:

Төтенше жоғары температураға төзімділік: TaC балқу температурасы 3880°C-қа дейін жоғары, тіпті 1600°C-тан жоғары өте жоғары температурадағы эпитаксиалды процестерде тамаша пішін тұрақтылығын сақтайды.

Тамаша коррозияға төзімділік: Құрамында NH₃(аммиак) немесе H₂(сутегі) бар күшті қалпына келтіретін орталарда TaC коррозиясының жылдамдығы өте төмен, бұл субстраттың жоғалуын және қоспаның тұнбасын тиімді болдырмайды.

Ультра жоғары тазалық кепілдігі: Қаптаманың тазалығы 99,9995% дейін жоғары. Оның тығыз құрылымы графит микрокеуектерін толығымен жабады, эпитаксиалды қабықшаның өте төмен қоспа деңгейіне жетуін қамтамасыз етеді.

Жылу өрісінің дәл таралуы: VETEK-тің оңтайландырылған жабуды басқару технологиясы қабылдағыш бетіндегі температура айырмашылығының ±2°C шегінде басқарылуын қамтамасыз етеді, бұл пластинаның эпитаксиалды қабатының қалыңдығы мен толқын ұзындығының консистенциясын айтарлықтай жақсартады.

Техникалық параметрлер

Микроскопиялық көлденең қимадағы тантал карбиді (TaC) жабыны:

Негізгі қолданба өрістері

SiC (кремний карбиді) эпитаксиалды өсу: 6 дюймдік, 8 дюймдік және үлкенірек өлшемді SiC қуат құрылғыларының өндірісін қолдайды.

GaN (галий нитриді) негізіндегі құрылғылар: Жоғары жарық диодтар, HEMT қуат құрылғылары және RF чиптері үшін MOCVD процестерінде қолданылады.

AlN (алюминий нитриді) және UVC өсуі: Терең ультракүлгін жарық диодтары сияқты ультра кең диапазонды материалдар үшін төтенше жоғары температура (1400°C+) тасымалдаушы шешімдерді қамтамасыз етеді.

Арнайы зерттеулерді қолдау: Әр түрлі дұрыс емес бөлшектер мен көп тесікті дискілер үшін ғылыми-зерттеу институттарының дәл баптау қажеттіліктеріне бейімделеді.

Үйлесімді үлгілер және теңшеу қызметтері

VETEK жаһандық негізгі MOCVD жабдығына тамаша бейімделген дәл механикалық өңдеу және жабу мүмкіндіктеріне ие:

AIXTRON: Әр түрлі планетарлық айналу дискілері мен негіздерін қолдайды.

Veeco: K465i, Propel және басқа тік қабылдағыш серияларын қолдайды.

AMEC және басқалар: Толық үйлесімді ауыстыру бөлшектерін немесе жаңарту шешімдерін қамтамасыз етеді.