Кремний карбиді эпитаксисі

Жоғары сапалы кремний карбидінің эпитаксисін дайындау озық технология мен жабдық пен жабдықтың керек-жарақтарына байланысты. Қазіргі уақытта кремний карбидінің эпитаксиясын өсірудің ең көп қолданылатын әдісі химиялық буларды тұндыру (CVD) болып табылады. Оның эпитаксиалды қабықшаның қалыңдығын және қоспа концентрациясын дәл бақылау, кем ақаулар, қалыпты өсу жылдамдығы, процесті автоматты басқару және т.б. артықшылықтары бар және коммерциялық тұрғыдан сәтті қолданылған сенімді технология болып табылады.

Кремний карбиді CVD эпитаксисі әдетте ыстық қабырғаға немесе жылы қабырғаға арналған CVD жабдығын қабылдайды, ол жоғары өсу температурасы жағдайында (1500 ~ 1700 ℃) эпитаксистік қабаттың 4H кристалды SiC, ыстық қабырға немесе жылы қабырға CVD жылдар бойы дамығаннан кейін жалғасуын қамтамасыз етеді. Кіріс ауа ағынының бағыты мен субстрат беті арасындағы қатынас, Реакция камерасын көлденең құрылымды реакторға және тік құрылымды реакторға бөлуге болады.

SIC эпитаксиалды пештің сапасының үш негізгі көрсеткіші бар, біріншісі - эпитаксиалды өсу өнімділігі, оның ішінде қалыңдығының біркелкілігі, қоспалардың біркелкілігі, ақау жылдамдығы және өсу жылдамдығы; Екіншісі – жабдықтың өзінің температуралық көрсеткіштері, оның ішінде қыздыру/салқындату жылдамдығы, максималды температура, температураның біркелкілігі; Соңында, бір қондырғының бағасы мен қуатын қоса алғанда, жабдықтың өзіндік құнының өнімділігі.

Кремний карбидінің эпитаксиалды өсу пешінің үш түрі және негізгі аксессуарлардың айырмашылығы

Ыстық қабырғалық көлденең CVD (LPE компаниясының типтік үлгісі PE1O6), жылы қабырға планеталық CVD (типтік үлгі Aixtron G5WWC/G10) және квази-ыстық қабырға CVD (Nuflare компаниясының EPIREVOS6 ұсынған) эпитаксиалды жабдықтың негізгі техникалық шешімдері болып табылады. осы кезеңде коммерциялық қолданбаларда. Үш техникалық құрылғының да өзіндік сипаттамалары бар және сұранысқа сәйкес таңдалуы мүмкін. Олардың құрылымы келесідей көрсетілген:

Сәйкес негізгі компоненттер келесідей:

(a) Ыстық қабырға көлденең типті өзек бөлігі- Жартылай бөліктерден тұрады

Төменгі ағынды оқшаулау

Негізгі оқшаулау үстіңгі жағы

Жоғарғы жарты ай

Жоғарғы ағынды оқшаулау

Өтпелі бөлік 2

Өтпелі бөлік 1

Сыртқы ауа шүмегі

Конусты шноркель

Сыртқы аргон газ шүмегі

Аргон газ шүмегі

Вафельді тіреу тақтасы

Орталауға арналған түйреуіш

Орталық күзет

Төменгі сол жақ қорғаныс қақпағы

Төменгі оң жақ қорғаныс қақпағы

Жоғарғы сол жақ қорғаныс қақпағы

Жоғарғы оң жақ қорғаныс қақпағы

Бүйір қабырға

Графит сақинасы

Қорғаныс киізі

Қолдауыш киіз

Байланыс блогы

Газ шығатын баллон

(b) Жылы қабырға планеталық түрі

SiC жабыны планеталық диск және TaC жабыны бар планеталық диск

(c) Квази-термиялық қабырға түрі

Nuflare (Жапония): Бұл компания өнім өнімділігін арттыруға ықпал ететін қос камералы тік пештерді ұсынады. Жабдықта минутына 1000 айналымға дейін жоғары жылдамдықты айналу мүмкіндігі бар, бұл эпитаксиалды біркелкілікке өте тиімді. Оған қоса, оның ауа ағынының бағыты басқа жабдықтан ерекшеленеді, тігінен төмен қарай, осылайша бөлшектердің пайда болуын азайтады және бөлшектер тамшыларының пластинкаларға түсу ықтималдығын азайтады. Біз бұл жабдық үшін негізгі SiC қапталған графит компоненттерін қамтамасыз етеміз.

VeTek Semiconductor SiC эпитаксиалды жабдығының құрамдас бөліктерін жеткізуші ретінде SiC эпитаксисінің сәтті жүзеге асырылуын қолдау үшін тұтынушыларды жоғары сапалы жабын компоненттерімен қамтамасыз етуге міндеттенеді.