Силикон карбид эпитаксиі

Жоғары сапалы кремний карбидінің эпитаксиін дайындау озық технологиялар мен жабдықтар мен жабдықтарға арналған аксессуарларға байланысты. Қазіргі уақытта ең көп қолданылатын кремний карбидінің эпитаксиді өсу әдісі - химиялық будың тұнбасы (CVD). Оның эпитаксиальды қабатының қалыңдығы мен допинг концентрациясын, азауды, орташа өсу қарқынын, процестерді автоматты басқарудың және т.б. нақты бақылаудың артықшылығы бар. Және коммерциялық түрде сәтті қолданылған сенімді технология.

Силикон Карбид Карбидінің епитаксиі, әдетте, ыстық қабырға немесе жылы қабырға жабдықтарын қабылдайды, бұл инфекциялық ауа ағындарының, ыстық қабырға немесе жылы қабырға, ыстық қабырға, ыстық қабырға, Ынт қабырға, реакция камерасы, реакция камерасына және тік құрылымдық реакторға бөлінеді.

SIC эпитаксилі пешінің сапасына үш негізгі көрсеткіш бар, бірінші болып эпитаксиалды өсу өнімділігі, оның ішінде қалыңдығы біркелкілік, допинг, ақаулар және өсу қарқыны; Екіншісі - бұл жабдықтың температуралық өнімділігі, оның ішінде жылыту / салқындату жылдамдығы, максималды температура, температура біркелкі; Соңында, жабдықтың өзіндік құны, оның ішінде бір блоктың бағасы мен сыйымдылығы.

Силикон карбидінің үш түрі эпитаксиальды өсу пеші және негізгі аксессуарлар айырмашылықтары

Ыстық қабырға көлденең CVD (LPE компаниясының типтік моделі), жылы қабырға планетарлық CVD (AIXTRON G5WWWC / G10) және квази-ыстық қабырға CVD (Nuflare компаниясының EPIREVOS6) және осы кезеңдегі коммерциялық қосымшаларда жүзеге асырылған негізгі эпитаксиалды жабдық. Үш техникалық құрылғы да өз сипаттамалары бар және оларды сұранысқа сәйкес таңдауға болады. Олардың құрылымы келесідей көрсетілген:

Тиісті негізгі компоненттер келесідей:

(a) Ыстық қабырға көлденең типтегі типтегі типтегі жартысы - жарты градус бөліктері тұрады

Төменгі оқшаулау

Негізгі оқшаулау

Жоғарғы жартыжылдық

Жоғарыдан оқшаулау

Өтпелі бөлік 2

Өтпелі бөлік 1

Сыртқы ауа саптамасы

Сноркель

Сыртқы аргон газ саптамасы

Аргон газ саптамасы

Вафли тірек тақтасы

Ортаңғы түйреуіш

Орталық гвардия

Төменгі ағымдағы қорғаныс қақпағы

Төменгі оң қорғаныс қақпағы

Сол жақ қорғаныс қақпағын

Жоғары сапалы қорғаныс қақпағы

Бүйір қабырға

Графит сақинасы

Қорғаныс киіз

Қолдаушы киіз

Байланыс блогы

Газды шығатын цилиндр

(b) жылы қабырға планетарлық түрі

SIC жабыны планетарлық дискісі және TAC Planety Disk

(c) квази-термиялық қабырға

Nuflare (Жапония): Бұл компания өндірістің өнімділігін арттыруға ықпал ететін қос камералық тік пештер ұсынады. Жабдық эпитаксиальды біркелкілік үшін өте пайдалы, бұл минутына 1000-ға дейін революцияға дейін жылдам айналу ерекшеліктерімен ерекшеленеді. Сонымен қатар, оның ауа ағынының бағыты басқа жабдықтардан, тігінен төмен, сондықтан бөлшектердің пайда болуын азайтып, бөлшектердің ұрпақтарын азайтады және вафлиге түсетін бөлшек тамшыларының ықтималдығын азайтады. Біз осы жабдыққа арналған SIC-тегі графит компоненттерін береміз.

SIC Epitaxial жабдықтарының компоненттері ретінде Ветек жартылайдеттемесі ретінде SIC эпитаксиінің сәтті жүзеге асырылуын қолдау үшін клиенттерге сапалы жабын компоненттерін беруге дайын.

View as

MOCVD эпитаксиалды вафлиі қамтамасыз етеді

Ветек жартылайдюсторы ұзақ уақыт бойы эпитакстің көбею өнеркәсібімен айналысады және Mocvd Epitaxial Wafer SuperSceptor өнімдеріне бай тәжірибесі мен технологиялық дағдылары бар. Бүгінгі таңда Ветек Жартылай өткізгіш Қытайдың жетекші MOCVD EPITAXIAL вафли эксепторы эксепторы өндірушісі және жеткізушісі болды, ал вафли-вафли Цеферлік вафли және басқа да өнімдерді өндіруде маңызды рөл атқарды.

Қосымша көру >> Сұрау жіберу >>

Тік пештің SIC қапталған сақинасы

Тік пештер SIC қапталған сақина - бұл тік пешке арналған арнайы компонент. Ветек жартылай өткізгіш сіз үшін де, өндірістік процестер де, сіз үшін ең жақсысын жасай алады. Қытайда тік пештің жетекші өндірушісі және жеткізушісі ретінде Ветек Жартылай өткізгіш біз сізге ең жақсы өнімдер мен қызметтерді ұсына алатынымызға сенімді.

Қосымша көру >> Сұрау жіберу >>

SiC жабыны бар вафельді тасымалдаушы

Жетекші SIC ҚОСЫМША ЖАҒДАЙЫ КӨЛІК КӨЛІГІ ЖАБДЫҚ ЖӘНЕ МАҢЫЗДЫ Ветек Жартылай өткізгіштің SIC жабылған вафли-тасымалдаушысы жоғары сапалы графит пен CVD-дің жабық жабынынан жасалған, ол өте тұрақтылығы бар және ұзақ уақыт жұмыс істей алады. Vetek жартылай өткізгіштері салалық-жетекші өңдеу мүмкіндіктері бар және клиенттердің SIC қапталған вафли-тасымалдаушыларына әр түрлі талаптарға сай келеді. Vetek жартылай өткізгіш сіздермен ұзақ мерзімді кооперативті қарым-қатынас орнатуға және бірге өсуді асыға күтеді.

Қосымша көру >> Сұрау жіберу >>

CVD SIC жабыны Эпитакси Сусептор

Ветек Жартылай өткізгіштің CVD CVD SIC жабыны эпитакси Сусепторы - жартылай өткізгіш вафлиге арналған және өңдеуге арналған дәл-инженерлік құрал. Бұл SIC жабыны эпитакси сезімін қолданушы жұқа қабықшалардың, эпилайзерлердің және басқа жабындардың өсуіне ықпал етуде және температура мен материалдық қасиеттерді дәл бақылап отыруда маңызды рөл атқарады. Әрі қарайғы сұрағыңызбен құттықтаймыз.

Қосымша көру >> Сұрау жіберу >>

CVD SiC жабу сақинасы

CVD SiC жабу сақинасы жарты ай бөліктерінің маңызды бөліктерінің бірі болып табылады. Басқа бөліктермен бірге ол SiC эпитаксиалды өсу реакциясының камерасын құрайды. VeTek Semiconductor - кәсіби CVD SiC жабын сақинасының өндірушісі және жеткізушісі. Тұтынушының дизайн талаптарына сәйкес біз сәйкес CVD SiC жабын сақинасын бәсекеге қабілетті бағамен ұсына аламыз. VeTek Semiconductor сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеді.

Қосымша көру >> Сұрау жіберу >>

SiC жабыны жарты ай графит бөліктері

Кәсіби жартылай өткізгіш өндіруші және жеткізуші ретінде Ветек жартылайдюсторы ӘЖК эпитаксиальды өсу жүйелеріне қажетті графит компоненттерін ұсына алады. Бұл SIC жабыны жарты сағат графит бөліктері эпитаксиальды реактордың газ құятын бөлігіне арналған және жартылай өткізгішті жасау процесін оңтайландыруда маңызды рөл атқарады. Vetek жартылай өткізгіш әрқашан клиенттерге ең жақсы сапалы өнімдермен бәсекеге қабілетті бағамен қамтамасыз етуге тырысады. Ветек жартылай өткізгіш Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеді.

Қосымша көру >> Сұрау жіберу >>

Veteksemicon silicon carbide epitaxy is your advanced procurement option for producing high-performance 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial layers used in wide bandgap semiconductor devices. SiC epitaxy enables the formation of defect-controlled, dopant-engineered epitaxial layers critical for high-power, high-frequency, and high-temperature electronic devices.

Our offering includes specialized components such as SiC epitaxial susceptors, SiC-coated wafer holders, and epitaxy process rings, tailored for use in horizontal and vertical MOCVD and CVD reactors, including platforms by Veeco, Aixtron, and LPE. Veteksemicon’s parts are coated with high-purity CVD SiC, ensuring chemical compatibility, temperature uniformity, and minimal contamination during epitaxial layer growth.

Silicon carbide epitaxy is essential for fabricating power MOSFETs, IGBTs, and RF components, particularly in automotive, energy, and aerospace applications. The epitaxial process requires extremely precise control over doping concentration, layer thickness, and crystallographic orientation, which is why substrate compatibility and thermal stability of reactor parts are critical.

Relevant terms in this category include 4H-SiC epitaxial wafer, low-defect-density epitaxy, SiC epi-ready substrates, and wide bandgap semiconductors. Veteksemicon supports both research-scale and volume production needs with stable, repeatable, and thermally robust component solutions.

To learn more about our silicon carbide epitaxy support materials, visit the Veteksemicon product detail page or contact us for detailed specifications and engineering support.

Кәсіби Силикон карбид эпитаксиі өндірушісі және Қытайда жеткізуші ретінде бізде өз зауытымыз бар. Сіздің аймағыңыздың нақты қажеттіліктерін қанағаттандыру үшін немесе Қытайда жасалған алдыңғы және берік және ұзақ уақыт берілетін және ұзақ уақыт беретін қызметтерді қаласаңыз, сізге жеке қызметтер қажет пе, жоқ па, бізге хабарлама қалдыра аласыз.

QR коды

Біз туралы

Өнімдер

Бізбен хабарласыңы

Телефон
+86-18069220752
Факс
+86-579-87223657
Электрондық пошта
anny@veteksemi.com
Мекенжай
Вангда жолы, Зияг көшесі, Вуй округ, Джинхуа қаласы, Чживян провинциясы, Қытай

Веб-мәзір

Өнім іздеу

Тіл

Мәзірден шығу

Силикон карбид эпитаксиі

Силикон карбидінің үш түрі эпитаксиальды өсу пеші және негізгі аксессуарлар айырмашылықтары

Тиісті негізгі компоненттер келесідей:

(a) Ыстық қабырға көлденең типтегі типтегі типтегі жартысы - жарты градус бөліктері тұрады

(b) жылы қабырға планетарлық түрі

(c) квази-термиялық қабырға

MOCVD эпитаксиалды вафлиі қамтамасыз етеді

Тік пештің SIC қапталған сақинасы

SiC жабыны бар вафельді тасымалдаушы

CVD SIC жабыны Эпитакси Сусептор

CVD SiC жабу сақинасы

SiC жабыны жарты ай графит бөліктері

Сұрау жіберу

QR коды

Біз туралы

Өнімдер

Бізбен хабарласыңы

Телефон

Факс

Электрондық пошта

Мекенжай