Кремний карбиді жабыны вафли ұстағыш

Карбид (SIC) вафли ұстаушысы вафлиді иесі, моторлы таза, жоғары температуралы процестер үшін арнайы жасалған, мысалы, моквд (металл металл будың тұндыру), LPCVD, PECVD және термиялық тазарту. Тығыз және форманы біріктіру арқылыCVD SIC жабыныМықты графит немесе керамикалық субстратта бұл вафлидің вафли-вафлиі қатты ортада механикалық тұрақтылық пен химиялық инерстікті қамтамасыз етеді.

Ⅰ. Жартылай өткізгіштерді өңдеудегі негізгі функция

Жартылай өткізгішті дайындауда вафли иелері вафлиді мықтап қолдауды, біркелкі қыздырылған және тұндыру немесе термиялық өңдеу кезінде қорғауда шешуші рөл атқарады. SIC жабыны негізгі субстрат пен технологиялық ортадағы инертті тосқауыл ұсынады, бұл бөлшектердің ластануы мен округтерін тиімді азайтады, бұл жоғары құрылымның шығымдылығы мен сенімділігіне қол жеткізу үшін маңызды болып табылады.

Негізгі қосымшаларға мыналар кіреді:

● Эпитаксиальды өсу (SIC, GAN, GAAS қабаттары)

● термиялық тотығу және диффузия

● Жоғары температуралы тазарту (> 1200 ° C)

● Вакуумдық және плазмалық процестер кезінде вафли және қолдау

Ⅱ. Жоғары физикалық сипаттамалары

Бұл параметрлер вафли иесінің өнімділік тұрақтылығын, тіпті қатаң процестердегі циклдермен ұстап тұру мүмкіндігін көрсетеді, сонымен қатар оны келесі буын қондырғысын өндіруге өте ыңғайлы.

Ⅲ. Технологиялық жұмыс процесі - Қадамдық қосымшалар сценарийі

АлайықMocvd eCitaxyПайдаланудың әдеттегі сценарийі ретінде:

1. Вафлиді орналастыру: Кремний, ган немесе SIC вафлиі SIC жабылған вафли эксепторына ақырын орналастырылған.

2. Камералық жылу: Палата жылдам температураға дейін жылдам қызады (~ 1000-1600 ° C). SIC жабыны жылуды және бетінің тұрақтылығын қамтамасыз етеді.

3. Прекурсормен таныстыру: Палатаға металл-органикалық прекурсорлар ағып жатыр. SIC жабыны химиялық шабуылдардан бастайды және субстраттан шығады.

4. Эпитаксиальды қабаттың өсуі: Біркелкі қабаттар ластанусыз немесе термиялық дистодан сақталадыҰстағыштың тамаша тегістік және химиялық инерстілігінің арқасында.

5. Салқындату және өндіру: Өңдеуден кейін иесі бөлшектердің төгілусіз қауіпсіз термиялық және вафли шығарылуына мүмкіндік береді.

Өлшемді тұрақтылық, химиялық тазалық және механикалық беріктігі, SIC жабыны вафли-эксепстері процестің кірістілігін едәуір жақсартады және құралды азайтады.

CVD SIC Film Crystal құрылымы:

Ветексемикон Өнім қоймасы: