Өнеркәсіп жаңалықтары

Бізде дүрбелең болды. Телефонның батареясы 5%, сізде қосалқы бөлуге минуттар бар, ал әр секунд сайын мәңгілікке ұқсайды. Егер бұл алаңдаушылықтың сыры толығымен жаңа химиямада емес, батареяның өзінде негізгі материалды қайта құруда не істесе ше? Технологияның алдыңғы қатарындағы жиырма жыл ішінде мен трендтер келіп, кетіп қалдым. Бірақ кеуекті графиттің айналасындағы ызылдық әр түрлі сезінеді. Бұл тек өсімді қадам емес; Бұл энергия сақтау дизайнына қалай қарайтынымыздың негізгі ауысуын білдіреді.

Ветекте біз тұрмыстық температурада сенімділікті талап ететін салалар үшін изотропиялық графикалық ерітінділерді қайта өңдеуді өткіздік. Бұл материалдың неге бұл материалдың не үшін екендігіне және біздің өнімдердің бәсекелестікке қалай әсер етуіне тыйым салайық.

Жартылай өткізгіш өнеркәсіпте он жылдан астам уақыт жұмыс істегеннен кейін, мен жоғары температуралы, жоғары энергетикалық ортада қандай қиындыққа тап болатынын түсінемін. Мен Ветектің сиктік блогына тап болғанға дейін, мен ақырында сенімді шешім таптым.

Жартылай өткізгіш өнеркәсіпте, өйткені құрылғы мөлшері қысқартуды жалғастыруда, жұқа кинофильмдердің тұндыру технологиясы бұрын-соңды болмаған қиындықтарға тап болды. Атомдық қабатты тұндыру (ALD), атомдық деңгейде дәл бақылауға ие жұқа пленкамен тұндыру технологиясы ретінде жартылай өткізгіш өндірісінің ажырамас бөлігі болды. Бұл мақалада озық чип өндірісінде маңызды рөлін түсінуге көмектесетін ALD процесінің ағымы мен принциптерін енгізуге бағытталған.

Интегралды схемаларды немесе жартылай өткізгішті құрылғыларды тамаша кристалды негіз қабатында құру өте қолайлы. Жартылай өткізгішті өндірудегі эпитаксистік (эпи) процесі бір кристалды субстратқа әдетте шамамен 0,5-тен 20 мкм-ге дейінгі жұқа бір кристалды қабатты қоюға бағытталған. Эпитаксия процесі жартылай өткізгіш құрылғыларды өндірудегі маңызды қадам болып табылады, әсіресе кремний пластинасын өндіруде.

Эпитакси мен атом қабаттарының тұндыруының басты айырмашылығы (ALD) олардың кино өсу механизмдері мен жұмыс жағдайында жатыр. Эпитакси жатады, яғни кристалды субстратқа кристалды субстратқа ұқсас, белгілі бір немесе ұқсас кристалды құрылымды сақтайды. Керісінше, ALD - бұл бір уақытта жұқа пленканы қалыптастыру үшін әр түрлі химиялық прекурсорларға субстратты әр түрлі химиялық прекурсорларға орналастыруды қамтитын тұндыру әдісі.

CVD TAC жабыны - бұл субстратқа тығыз және тұрақты жабын қалыптастыру процесі (графит). Бұл әдіс TAC-ті жоғары температурада субстрат бетіне сақтау, нәтижесінде керемет жылу тұрақтылық пен химиялық тұрақтылықпен танталға (TAC) жабыны бар.

8 дюймдік кремний карбиді (SiC) процесі жетілген сайын, өндірушілер 6 дюймден 8 дюймге ауысуды жеделдетуде. Жақында ON Semiconductor және Resonac 8 дюймдік SiC өндірісі туралы жаңартуларды жариялады.

Бұл мақалада жаңа жобаланған PE1O8 ыстық қабырға CVD реакторларында LPE-дің ыстық-қабырға CVD реакторларында және оның 200мм-СӨЖ 4H-SIC-тің 4h-эпитаксиін орындау қабілеті енгізілген.

Электроника, оптоэлектроника және басқа салалардағы SIC материалдарына сұраныс өсіп, SIC бірыңғай кристалды өсу технологиясын дамыту ғылыми-технологиялық инновацияның негізгі бағыты болады. SIC бірыңғай кристалды өсу жабдықтарының өзегі, жылу доптарының дизайны кеңірек және терең зерттеулер жүргізуді жалғастырады.

Үздіксіз технологиялық прогресс пен механизмді терең зерттеу арқылы 3C-SiC гетероэпитаксиалды технологиясы жартылай өткізгіштер өнеркәсібінде маңызды рөл атқарады және жоғары тиімді электронды құрылғылардың дамуына ықпал етеді деп күтілуде.

Кеңістіктік ALD, кеңістікте оқшауланған атом қабатының тұнбасы. Вафли әртүрлі позициялар арасында жылжиды және әр позицияда әртүрлі прекурсорларға ұшырайды. Төмендегі сурет дәстүрлі ALD мен кеңістікте оқшауланған ALD арасындағы салыстыру болып табылады.

Жақында неміс ғылыми-зерттеу институты Fraunhofer IISB тантал көлігінің жабыны технологиясын зерттеу мен игеруге серпіліс жасады және CVD-дің тұндыру шешіміне қарағанда икемді және экологиялық таза, бұл икемді және экологиялық таза, бұл икемді және экологиялық таза.

Жылдам технологиялық даму дәуірінде 3D басып шығару, алдыңғы қатарлы өндірістік технологияның маңызды өкілі ретінде дәстүрлі өндірістің бетін өзгертуде. Технологиялардың үздіксіз жетілуімен және шығындарды азайту, 3D басып шығару технологиясы көптеген салаларда аэроғарыш, автомобиль өндірісі, медициналық жабдықтар және сәулет дизайны, және осы салалардың дамуына ықпал етті.

Жалғыз кристалды материалдар әр түрлі жартылай өткізгіш құрылғылардың өсіп келе жатқан өндірісінің қажеттіліктеріне сәйкес келмейді. 1959 жылдың соңында бірыңғай кристалды материалдың өсу технологиясының жұқа қабаты - эпитаксиалды өсім дамыды.

Кремний карбиді жоғары температуралы, жоғары жиілікті, жоғары қуатты, жоғары қуатты және жоғары вольтты құрылғылардың тамаша материалдарының бірі болып табылады. Өндірістік тиімділікті арттыру және шығындарды азайту мақсатында ірі мөлшердегі кремний карбидінің субстраттарын дайындау маңызды даму бағыты болып табылады.