Veeco Mocvd Провиденция

Ол жартылай өткізгіштіңVeeco mocvdВафли Сусептор - бұл өте тығыз компонент, ультрапурдық графитті қолданукремний карбид (SIC) жабыны. ОсыSic жабыныКөптеген артықшылықтар береді, бұл субстратқа тиімді жылу беруді қамтамасыз етеді. Субстрат арқылы оңтайлы термиялық таралуға қол жеткізу Жартылай өткізгіш құрылғыны өндірісте шешуші, жоғары сапалы жұқа және сапалы жұқа пленканы қамтамасыз ету үшін қажет.

Техникалық параметрлер

Материалдық қасиеттердің матрицасы

Vetek стандартты дәстүрлі шешімдері

Негізгі материалдың тазалығы 6n изостатикалық графитті 5N

CTE Сәйкес Диплом (25-1400 ℃) δα ≤δ0.3 × 10⁻⁶ / k δα ≥δ1.2 × 10⁻⁶ / k

Жылу өткізгіштік @ 800 ℃ 110 м / м / м / м / м / м /

Беттің кедір-бұдырлығы (RA) ≤0.1μm ≥0.5.5 мкм

Қышқылға төзімділік (ph = 1 @ 80 ℃) 1500 цикл 300 цикл

Негізгі артықшылықты қайта құру

Жылуларды басқарудың инновациялары

CTE атомдық сәйкес техникасы

Жапония Toyo көміртекті графит / SGL субстраты + градиент-жабыны

Жылу циклінің стрессі 82% -ға азайды (1400 ℃↔RT 500 цикл өлшенеді)

Интеллектуалды жылу өрісінің дизайны

12-аймақтық температураға өтемақы құрылымы: ± 0,5 ℃ ± 0,5 ℃ ± 0,5 ℃ φ200 мм вафли бетіне біркелкілік

Динамикалық термиялық жауап: ≤1,2 ℃ / см температуралық градиент 5 ₸ / с ℃ / S жылыту ставкасы

Химиялық қорғау жүйесі
Үш композитті тосқауыл

50 мкм тығыз sic негізгі қорғаныс қабаты

Nanotac өтпелі қабаты (міндетті емес)

Газ фазасы инфильтрациясының тығыздығы

Verified Astm G31-21:

CL негізгі коррозия бағамы <0,003 мм / жыл

NH3 астық шекарасынсыз 1000 г дейін ұшырады

Интеллектуалды өндірістік жүйе

Сандық егіз өңдеу

Бес осьті өңдеу орталығы: позицияның дәлдігі ± 1,5 мкм

Интернеттегі 3D сканерлеу инспекциясы: 100% толық көлемді тексеру (ASME Y14.5 сәйкес)

Сценарийге негізделген құндылық

Үшінші буын жартылай өткізгіштік жаппай өндірісі

Қолдану сценарийі Техникалық параметрлер

GAN 6 дюйм / 150 мкм эпитаксиалды екі өлшемді электронды газ тығыздығының ауытқуы <2%

Sic mosfet c Біркелкі болу ± 3% шекті кернеудің ауытқуы 40% -ға азайды

Микро лед толқын ұзындығы біртектілігі ± 1.2nm чиптік ставкасы 15% артты

Техникалық қызмет көрсету құнын оңтайландыру

Тазалау кезеңі 3 рет ұзартылды: HF: HNO ₃ = 1: 3 Жоғары қарқындылықты тазартуға қолдау көрсетіледі

Қосалқы бөлшектер Өмірді болжау жүйесі: AI алгоритмі ± 5%

Ветек жартылай өткізгіш VEOECO Mocvd Susceptor дүкендері: