Кремний карбиді қапталған эпи сезімталды

Жартылай өткізгіш эпитаксиі газ фазасы, сұйық фаза немесе молекулалық сәулелік қабат (эпитаксиальды қабат) сияқты, субстрат құрылымы бар жұқа қабықшамен, сұйық фаза немесе молекулалық сәулелерден жасалған әдістердің өсуіне жатады. сол немесе ұқсас тор құрылымы және субстрат ретіндегі бағдар. 

Эпитакси технологиясы жартылай өткізгіштерде, әсіресе жоғары өнімді құрылғыларды өндіру үшін қолданылатын жалғыз кристалл қабаттар, гетероқұрылымдар және кванттық құрылымдар сияқты жоғары сапалы жұқа қабықшаларды дайындауда өте маңызды.

Силикон карбиді ЕПИ Сусепторы - эпитаксиальды өсу жабдықтарындағы субстратқа қолдау көрсету үшін қолданылатын негізгі компонент, және Silicon Epitaxy-де кеңінен қолданылады. Эпитаксиальды тұғырдың сапасы мен орындалуы эпитаксиальды қабаттың өсу сапасына тікелей әсер етеді және жартылай өткізгіш құрылғылардың соңғы жұмысында маңызды рөл атқарады.

VeTek жартылай өткізгішCVD әдісімен SGL графитінің бетіне SIC жабынының қабатын жауып, жоғары температураға төзімділік, тотығуға төзімділік, коррозияға төзімділік және термиялық біркелкілік сияқты қасиеттері бар SiC жабындысы бар эпи сенсорды алды.

Әдеттегі бөшке реакторында, кремний карбидімен қапталған epi сезімталды құрылымы бар. SIC қапталған EPI Succeptor төменгі жағы айналмалы білікке қосылған. Эпитаксиальды өсу процесінде сағат тіліне, сағат тіліне қарсы және сағат тіліне қарсы бұрылуды қолдайды. Реакция газы реакция камерасына саптама арқылы түседі, сондықтан газ ағыны реакция камерасында біркелкі таратуды қалыптастырады және ақырында эпитаксиальды қабаттың біркелкі өсуін қалыптастырады.

SIC қапталған графит пен тотығу уақытының жаппай өзгеруі арасындағы байланыс

Жарияланған зерттеулердің нәтижелері 1400 ℃ және 1600 ℃ температурада SiC қапталған графиттің массасы өте аз өсетінін көрсетеді. Яғни, SiC қапталған графиттің күшті антиоксиданттық қабілеті бар. Сондықтан, SiC қапталған Epi суссепторы эпитаксиалды пештердің көпшілігінде ұзақ уақыт жұмыс істей алады. Егер сізде қосымша талаптар немесе теңшелген қажеттіліктер болса, бізге хабарласыңыз. Біз ең жақсы сапалы SiC жабынымен қапталған Epi сенсорлы шешімдерді ұсынуға дайынбыз.

CVD SiC жабынының негізгі физикалық қасиеттері

VeTek жартылай өткізгішКремний карбидімен қапталған Epi суссептор дүкендері