SiC қапталған бөшкеге арналған сенсор

Ветек жартылайдюсторы - бұл Қытайдың жетекші SIC жабыны және TAC жабыны өндірушісі, жеткізуші және экспорттаушы. Біздің ең жақсы өнімнің сапасын ұстану, сондықтан біздің Дюрелге баррельдік сезімтал болғандықтан, көптеген клиенттерге қанағаттандырылды. Экстремалды дизайн, сапалы шикізат, жоғары өнімділік және бәсекеге қабілетті баға - бұл әр тұтынушы қалайды және біз сізге де ұсына аламыз. Әрине, біздің кемелді болуымыз керек. Егер сіз біздің SIC жабылған Barrel Susceptor қызметтеріне қызығушылық танытсаңыз, сіз бізбен кеңесе аласыз, біз сізге уақытында жауап береміз!

VeTek жартылай өткізгішSiC қапталған баррельді қабылдағыш негізінен LPE Si EPI реакторлары үшін қолданылады

LPE (сұйық фазалық эпитакси) кремний эпитаксиі - бұл кремний субстраттарына бір кристалды кристалды кремсиканың жұқа қабаттарын салуға арналған жартылай өткізгіштің эпитакстеу техникасы. Бұл кристаллдың өсуіне қол жеткізу үшін химиялық реакцияларға негізделген сұйық фазалық өсу әдісі.

LPE Silicon Epitaxy-тің негізгі қағидасы субстратты қажетті материалдан тұратын ерітіндіге, тұтынылатын температураны және ерітінді композициясындағы ерітіндіге, ерітінді композициясына, бұл материалды бір кристалды кристалды қабат ретінде өсіруге мүмкіндік береді субстрат бетінде. Эпитаксиалды өсу кезінде өсу жағдайларын және ерітінді құрамын реттеу арқылы қажетті кристалл сапасына, қалыңдығына және қоспа концентрациясына қол жеткізуге болады.

LPE кремний эпитаксисі бірнеше сипаттамалар мен артықшылықтарды ұсынады. Біріншіден, оны салыстырмалы түрде төмен температурада орындауға болады, бұл материалдағы жылу кернеуін және қоспаның диффузиясын азайтады. Екіншіден, LPE кремний эпитаксисі өнімділігі жоғары жартылай өткізгіш құрылғыларды өндіруге жарамды жоғары біркелкі және тамаша кристалдық сапаны қамтамасыз етеді. Сонымен қатар, LPE технологиясы көп қабатты және гетероқұрылымдар сияқты күрделі құрылымдардың өсуіне мүмкіндік береді.

LPE Silicon Epitaxy-де SIC жабылған баррель Сусептор - бұл өте маңызды эпитакситтік компонент. Әдетте ол температура мен атмосфералық бақылауды қамтамасыз ету кезінде эпитаксиальды өсу үшін қажет кремнийді субстрат жүргізу және қолдау үшін қолданылады. SIC жабыны эпитаксиальды өсу процесінің талаптарына сәйкес келетін сезімталдықтың жоғары температуралы және химиялық тұрақтылығын арттырады. SIC жабылған бөшке сезімін пайдалану арқылы эпитаксиальды өсудің тиімділігі мен дәйектілігін жақсартуға, жоғары сапалы эпитаксиалды қабаттардың өсуін қамтамасыз етуге болады.

CVD SiC жабынының негізгі физикалық қасиеттері

CVD SIC ПЛОНКА КРИСТАЛДЫҚ ҚҰРЫЛЫМЫ

VeTek жартылай өткізгішBarrel Susceptor өндірістік цехтары