Өнімдер

TAC жабыны 2200 ℃ жоғары температураға төтеп бере алады. Ветек жартылайдюсторы Қытайда 5PPM-ден төмен қоспалармен жоғары тазалық жабынын ұсынады. TAC жабыны тұғырын тіреу тақтасы epitaxial құрылғысының реакциясы орталығында аммиак сутегі, Аргонинді қарсы алады. Сіз талаптарды ұсынасыз, біз теңшелеміз.

Ветек жартылай өткізгіштің TAC жабыны Чак жоғары сапалы жабынымен ерекшеленеді, оның жоғары температуралы төзімділігімен және химиялық инерттілігімен, әсіресе Silicon Carbide (SIC) эпитакси (EPI) процесінде. Біздің TAC жабынының ерекше қасиеттері бар, біздің TAC жабыны бірнеше негізгі артықшылықтарды ұсынады.

Жартылай өткізгіш өнеркәсіпте CVD TAC жабыны сақинасы кремний карбидінің (SIC) кристалды өсу процестерінің талап етілетін талаптарын қанағаттандыруға арналған жоғары компонент. Vetek жартылай өткізгіштің CVD TAC жабыны сақинасы жоғары температуралы және химиялық инерстермен қамтамасыз етеді, бұл жоғары температура мен коррозиялық жағдайлармен сипатталатын ортаға тамаша таңдау жасайды. Pls көп сұрақтар бойынша бізбен байланыса алады.

LPE SiC Epi Halfmoon - көлденең эпитаксистік пешке арналған арнайы дизайн, LPE реакторының SiC эпитаксиялық процестерін көтеруге арналған революциялық өнім. Бұл алдыңғы қатарлы шешім өндірістік операцияларыңыздың бойына жоғары өнімділік пен тиімділікті қамтамасыз ететін бірнеше негізгі мүмкіндіктерге ие. Vetek Semiconductor 6 дюйм, 8 дюймдік LPE SiC Epi жарты айын өндіруде кәсіби. Сізбен ұзақ мерзімді ынтымақтастық орнатуды асыға күтеміз.

Ветек жартылайдюсторы - TAC жабындылары мен SIC жабынының графиттерінің жетекші жеткізушісі. Біз эпитакси процестері үшін қажет кесілген эпи сезімталдарын өндіруге маманданамыз. Сіздің одан әрі кеңесіңізді күтеміз.

VeTek Semiconductor – TaC жабындары мен SiC жабын бөліктерін зерттеу, әзірлеу, өндіру, жобалау және сатумен айналысатын жан-жақты жеткізуші. Біздің тәжірибеміз жарықдиодты эпитаксия процесінде маңызды рөл атқаратын TaC жабыны бар заманауи MOCVD сусепторын өндіруде жатыр. Бізбен сұрақтар мен қосымша ақпаратты талқылауға шақырамыз.