Mocvd Sic Clockceptor

Vetek жартылай өткізгіш Mocvd Sicceptor SICEPREPTOR жоғары сапалыдан жасалғанграфигі, ол өзінің жылу тұрақтылығы мен тамаша жылу өткізгіштігі үшін таңдалады (шамамен 120-150 Вт/м·К). Графиттің өзіне тән қасиеттері оны ішіндегі қатал жағдайларға төтеп беретін тамаша материал етедіMocvd реакторлары. Оның өнімділігін жақсарту және қызмет ету мерзімін ұзарту үшін графит қабылдағыш кремний карбиді (SiC) қабатымен мұқият қапталған.

MOCVD SIC жабыны сезімтеті - бұл қолданылған негізгі компонентХимиялық будың тұнбасы (CVD)жінеметаллорганикалық химиялық буларды тұндыру (MOCVD) процестері. Оның негізгі функциясы кремний немесе кремний карбиді (SiC) пластиналарды қолдау және қыздыру және жоғары температуралы ортада біркелкі газ тұндыруын қамтамасыз ету болып табылады. Бұл жартылай өткізгіштерді өңдеуде таптырмас өнім.

Жартылай өткізгіштерді өңдеудегі MOCVD SICPEPTIR-дің қосымшалары:

Вафлиді қолдау және жылыту:

MOCVD SiC жабынының сенсоры қуатты қолдау функциясына ие ғана емес, сонымен қатар оны тиімді қыздыра аладывафлихимиялық будың тұндыру процесінің тұрақтылығын қамтамасыз ету үшін біркелкі. Тұтыну кезінде SIC жабынының жоғары жылу өткізгіштігі жылу энергиясын вафлидің әр саласына тез ауыса алады, бұл жергілікті қызып кетуден немесе температураның жеткіліксіз болуын болдырмайды, осылайша химиялық газды вафли бетіне біркелкі пайдалануға бере алады. Бұл біркелкі жылу және тұндыру әсері вафлиді өңдеудің дәйектілігін едәуір жақсартады, әр вафли формасының қалыңдығымен және ақау мөлшерін азайтады және ақаулар ставкасын төмендетеді, бұл өндірістің өнімділігі мен жартылай өткізгіш құрылғыларының тиімділігін арттыру.

Эпитаксияның өсуі:

ІшіндеMocvd процесі, SiC қапталған тасымалдаушылар эпитаксияның өсу процесінің негізгі компоненттері болып табылады. Олар кремний және кремний карбидті пластиналарды қолдау және жылыту үшін арнайы пайдаланылады, бұл химиялық бу фазасындағы материалдар пластинаның бетіне біркелкі және дәл түсуін қамтамасыз етеді, осылайша жоғары сапалы, ақаусыз жұқа пленка құрылымдарын құрайды. SiC жабындары жоғары температураға төзімді ғана емес, сонымен қатар ластану мен коррозияны болдырмау үшін күрделі технологиялық орталарда химиялық тұрақтылықты сақтайды. Сондықтан, SiC қапталған тасымалдаушылар SiC қуат құрылғылары (мысалы, SiC MOSFET және диодтар), жарықдиодты шамдар (әсіресе көк және ультракүлгін жарықдиодты шамдар) және фотоэлектрлік күн батареялары сияқты жоғары дәлдіктегі жартылай өткізгіш құрылғылардың эпитаксистік өсу процесінде маңызды рөл атқарады.

Галий нитриді (GaN)және галлий арсениді (GaAs) эпитаксисі:

SIC жабылған тасымалдаушылар керемет жылу өткізгіштік пен жылу кеңею коэффициенттерінің арқасында GAN және GAAS эпитаксиалдық қабаттарының өсуіне таптырмайтын таңдау болып табылады. Олардың тиімді жылу өткізгіштігі эпитаксиальды өсу кезінде жылуды біркелкі таратады, деп жиналған материалдың әр қабатының әр қабатын біркелкі өсуі мүмкін, бұл бақыланатын температурада біркелкі өсуі мүмкін. Сонымен бірге, SIC-тің төмен жылу кеңеюі температураның өзгеруіне, температураның өзгеруіне, вафли деформация қаупін тиімді түрде азайтуға мүмкіндік береді, осылайша эпитаксиальды қабаттың жоғары сапасы мен дәйектілігін қамтамасыз етеді. Бұл функция SIC жабылған тасымалдаушыларды жоғары жиілікті, жоғары қуатты электронды құрылғыларды (GAN HEMT құрылғылары) және оптикалық коммуникациялар мен оптоэлектрондық құрылғыларды (мысалы, гаас негізіндегі лазерлер мен детекторлар) өндіруге тамаша таңдау жасайды.

VeTek жартылай өткізгішMOCVD SiC жабынының сенсорлық цехтары: