SiC кристалының өсуіне арналған жоғары тазалықтағы SiC ұнтағы

1. Негізгі мүмкіндіктер

· Жоғары тазалық деңгейлері:Тазалық мүмкіндіктері 99,9999% дейін жетеді (6N дәрежесі).

· Өте төмен металл қоспалары:SiC кристалының өсуі үшін оңтайландырылған микроэлементтермен ластану азайтылған.

· Толық мөлдірлік:Толық GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometry) сынақ деректері әрбір партия үшін қолжетімді.

· Тұрақты жылу өнімділігі:PVT өсу кезеңінде жоғары болжамды және біркелкі сублимация әрекеті.

· Бөлшектердің бақыланатын мөлшерінің таралуы:Қаптаманың тұрақты тығыздығын сақтау үшін гранулометрия мұқият бақыланады.

· Арнайы формулалар:Бөлшектердің жеке өлшемдері мен таралу қисықтары сұраныс бойынша қол жетімді.

· Жартылай өткізгіштердің сапа стандарты:Қатаң жартылай өткізгіштер деңгейіндегі сапа менеджменті жүйелері бойынша өндірілген.

2. Өнімнің көрнекілігі

3. Техникалық сипаттамалар

4. Қолданбалар

· PVT SiC кристалының өсуі:Өткізгіш және жартылай оқшаулағыш SiC құймалары.

· Жартылай өткізгіш субстраттар:Вафельді субстрат және эпитаксиалды өңдеу шикізаты.

· Жоғары сапалы жылу құрамдастары:Жетілдірілген керамикалық құрамдас бөліктер мен сезімтал жабындар.

· ҒЗТКЖ қолданбалары:Жаңа буын электр электроникасын зерттеу және жоғары жиілікті құрылғылар.

5. Неліктен VeTek Semiconductor таңдау керек?

· Меншікті тазарту:Бір кристалды өсіру үшін 6Н тазалыққа дейін жеткізетін жетілдірілген тазарту әдістері.

· Сапаны қатаң бақылау:Жартылай өткізгішті ластануды қатаң бақылау арқылы арнайы сапа кепілдігі.

· Теңшеу икемділігі:Әр түрлі ПВТ пешінің тигель сипаттамаларына сәйкес келетін икемді реттелетін бөлшектердің өлшемдері.

· Тұрақты жеткізу тізбегі:Жаппай өнімді ұзақ мерзімді тұрақты жеткізуге кепілдік беретін сенімді жеткізу қуаты.

· Техникалық сараптама:Кристалл өсу процестеріне бейімделген толық техникалық қолдау.