Технология және шешімдер

Дұрыс CVD SiC, TaC жабыны немесе Solid SiC таңдау эпитаксистік/ою сызықтарындағы бөлшектердің деңгейлері мен құрамдастардың қызмет ету мерзімін тікелей анықтайды. Бұл мақалада жылдам шешім қабылдауға және тәуекелді азайтуға көмектесетін негізгі жабдықты ауыстыру шешімдерімен және негізгі көрсеткіштермен сәйкес келетін температура, атмосфера және процесс бойынша нақты таңдау шекаралары берілген.

VeTek-тің сумен басқарылатын лазерлік технологиясы 2 мм SiC субстраттарында конустықсыз, минималды HAZ және жартылай өткізгіштерді қолдану үшін жоғары өнімділікпен біркелкі Φ0,15 мм саңылауларды қалай беретінін біліңіз.

Жартылай өткізгішті жабдықтың қуыс көтеру түйреуіштері үшін ең күрделі техникалық мәселе сыртқы бетті жабу емес, қуыс құрылымның ішкі қабырғасында тұрақты және біркелкі CVD жабынына қол жеткізу болып табылады. Ішкі қабырға жабынының біркелкілігін бақылаудан бастап ішкі саңылаулардың тазалығын қамтамасыз етуге дейін процестің әрбір қадамы пластинаның шығымына тікелей әсер етеді. Бұл мақалада қуыс көтеру түйреуіштерінің ішкі қабырғаларын жабудың негізгі қиындықтары және негізгі техникалық жолдар талданады.