Жоғары таза кремний карбиді (SiC) ұнтағы

Негізгі мүмкіндіктер
• Тазалық 99,9999%-ға дейін көтерілуі мүмкін — бұл 6Н

• Металл қоспалары төмен деңгейде сақталады

• GDMS сынақ деректері сұрау бойынша қол жетімді

• Сублимация әрекеті партиядан партияға сәйкес келеді

• Өңдеу кезінде ластану қаупі аз

• Бөлшек өлшемдерінің таралуы бақыланады

• Сондай-ақ теңшелген бөлшектердің өлшемдерін сұрауға болады

• Сапаны бақылау жартылай өткізгіштер стандарттарына сәйкес жүргізіледі

Бөлшек өлшемдерінің диапазоны:

Ұнтақтың тазалығы: 

Техникалық сипаттамалары:

Қолданбалар

• SiC жалғыз кристалды өсу (PVT)

• Өткізгіш және жартылай оқшаулағыш SiC субстраттары

• Жартылай өткізгіш материалдар

• Жетілдірілген керамика

• Зерттеулер және әзірлемелер

Неліктен VeTek Semiconductor таңдау керек?

• Жетілдірілген тазарту технологиясы

• Жартылай өткізгіштердің сапасын бақылау

• Теңшелген бөлшектер өлшемі опциялары

• Тұрақты және сенімді жабдықтау

• Кристаллды өсіру қолданбаларына техникалық қолдау көрсету