CVD TAC үш жапыраққа бағытталған сақина

Карбидтің жалғыз кристалды субстрат материалы - бұл кең жолақөткізгіш материалға жататын кристалды материалдың бір түрі. Оның жоғары кернеуге төзімділігі, жоғары температураға төзімділігі, жоғары жиілігі, төмен шығын және т.б., жоғары қуатты электронды құрылғылар мен микротолқынды радиожиілік құрылғыларын дайындаудың негізгі материалдары бар. Қазіргі уақытта SIC кристалдарының негізгі әдістері - бұл физикалық бу көлігі (PVT әдісі), жоғары температуралы химиялық будың тұндыруы (HTCVD әдісі), сұйық фазалық әдіс және т.б.

Физикалық будың көлігі (PVT) әдісі - бұл үлкен көлемдегі өнеркәсіптік өндіріске өте қолайлы. Бұл процессте, SIC тұқымдық кристалы шикізат ретінде, ал шикізат ретінде қызмет ете отырып, шикізат түбінде орналасқан. Жабық ортадағы жоғары температура мен төмен қысым жағдайында SIC ұнтағы сублиматтар. Температуралық градиенттік және шоғырлану айырмасымен басқарылатын, сублимацияланған түрлер тұқымдық кристалдың жанында аймаққа жоғары қарай жылжиды. Жоғарғы жағына жеткен соң, қайта кристаллизация өсіп, өсірілген SIC кристалдарының мөлшері мен нақты кристалды түріне нақты бақылауға мүмкіндік береді.

Үш жапыраққа бағытталған сақина CVD TAC бірнеше маңызды функцияларға қызмет етеді. Ең алдымен, ол сұйықтықты механиканы газ ағынын басқарады, бұл газдың өсу аймағының біркелкі атмосфераға түсетінін қамтамасыз етеді. Сонымен қатар, ол SIC Crystal өсу процесінде жылуды тиімді түрде таратады. Температуралық градиентті ұстап тұру арқылы ол SIC кристалдарының өсу жағдайын оңтайландырады және температураның біркелкі емес таралуынан туындаған кристалл ақауларының қаупін тудырады.