CVD SIC PEANCAKE эксепторы

Ол жартылай өткізгіш CVD SIC PARESEPEPREPREPREPTOR жаңа химиялық будың тұндыру (CVD) технологиясы (CVD) технологиясы (CVD) технологиясы, өте жақсы температураның және температураның кешіктірілуін қамтамасыз етеді. Төменде оның негізгі физикалық қасиеттері бар:

● Жылу тұрақтылығы: SIC CVD-дің жоғары жылу тұрақтылығы жоғары температуралық жағдайларға сәйкес тұрақты өнімділікті қамтамасыз етеді.

● Төмен термиялық кеңейту коэффициенті: Материал өте төмен жылу кеңею коэффициенті бар, бұл температураның өзгеруіне байланысты кері және деформацияны азайтады.

● Химиялық коррозияға төзімділік: Жақсы химиялық төзімділік әр түрлі қатал ортада жоғары көрсеткіштерді сақтауға мүмкіндік береді.

Нақты қолдау және оңтайландырылған жылу беру

Ветексемидің құймақ сезімталды SICEPTOR негізіндегі SIC CICED SICED өткізгіш вафлиді орналастыруға және эпитаксиалды тұндыру кезінде жақсы қолдау көрсетуге арналған. SIC PEANESATE SUSCEPTOR жетілдірілген есептеу модельдеу технологиясын қолдана отырып жасалған, әр түрлі температура мен қысым жағдайында сақталу және деформацияны азайту үшін жасалған. Оның әдеттегі жылу кеңею коэффициенті шамамен 4,0 × 10 құрайды^-6/ ° C, бұл оның өлшемді тұрақтылығы жоғары температуралы ортадағы дәстүрлі материалдардан едәуір жақсы, осылайша вафлидің қалыңдығының дәйектілігін (әдетте 200 мм-ден 300 мм-ге дейін) қамтамасыз етеді.

Сонымен қатар, CVD пейджері сезімтеті жылу беруге арналған, жылу беруге, жылу өткізгішті 120 Вт / м / м / м / м / м. Бұл жоғары жылу өткізгіштік жылуды тез және тиімді өткізе алады, пеш ішіндегі температураның біркелкілігін арттыра алады, эпитаксиалды тұндыру кезінде жылудың біркелкі бөлінуін және тегіс жылудан туындаған тұндыру ақауларын азайтыңыз. Жылу берудің оңтайландырылған өнімділігі өндіріс сапасын жақсарту үшін өте маңызды, бұл процестің ауытқуын тиімді және өнімділікті арттырады.

Осы дизайн мен өнімді оңтайландырулар арқылы Vetek Semiconductor компаниясы SIC PEANKENTURE SUSKEPTSORT дескодекепцептордың жартылай өткізгішті өндірісіне берік негіз ұсынады, бұл өте дәл, сенімділік пен консистенцияны қамтамасыз етеді және заманауи жартылай өткізгіш өнеркәсіптің қажеттіліктерін қамтамасыз етеді және жоғары дәлдік пен сапа талаптарына жауап береді.

CVD SIC Film Crystal құрылымы

CVD-дің негізгі физикалық қасиеттері

CVD-дің негізгі физикалық қасиеттері
Мүлік	Типтік құндылық
Кристалл құрылымы	FCC β PolycryStalline фазалық фазалық, негізінен (111)
Тығыздық	3.21 г / см³
Қаттылық	2500 виккердің қаттылығы (500 г жүктеме)
Астық мөлшері	2 ~ 10 мм
Химиялық тазалық	99,99995%
Жылу сыйымдылығы	640 ЖҰГ-1· K-1
Сублимация температурасы	2700 ℃
Иілгіш күш	415 MPA RT 4 нүктесі
Жас модуль	430 GPA 4PT иілу, 1300 ₸
Жылу өткізгіштік	300 Вук-1· K-1
Жылу кеңеюі (CTE)	4.5 × 10-6K-1