Ган эпитакси

Ган эпитаксиясы - жоғары сапалы электронды және оптоэлектрондық құрылғылар шығару үшін қолданылатын жетілдірілген жартылай өткізгіш технология. Әр түрлі субстрат материалдарына сәйкес,Ган эпитаксиалды вафлиган негізіндегі ган, SIC негізіндегі ган, сапфир негізіндегі ганға бөлуге болады жәнеGan-on-si.

       Ган эпитаксиін қалыптастыру үшін MOCVD процесінің жеңілдетілген схемасы

Ган эпитаксиясын өндіруде субстрат эпитаксиальды тұндыру үшін жай ғана бір жерге орналастырылмайды, өйткені ол газ ағынының бағыты, температура, қысым, бекіту және ластаушы заттар сияқты түрлі факторларды қамтиды. Сондықтан, база қажет, содан кейін субстрат дискіге орналастырылады, содан кейін епитаксиальды тұндыру CVD технологиясын қолдана отырып, субстратта орындалады. Бұл база ган эпитакси сезімін қабылдады.

СИК мен Ган арасындағы тордың сәйкес келмеуі аз, өйткені SIC жылу өткізгіштігі ган, си және сапфирден әлдеқайда жоғары. Сондықтан, ган ганының эпитаксие вафлиіне қарамастан, SIC жабыны бар ган эпитаксиялық сезімтеті құрылғының жылу сипаттамаларын едәуір жақсарта алады және құрылғының түйіскен температурасын азайтады.

Тордың сәйкес келмеуі және материалдардың жылулық сәйкес келмеуі

Багажник жартылай өткізгіштері шығарған ган эпитакси сезімтеті келесі сипаттамаларға ие:

Материал: Сусептор жоғары температура графиті мен SIC жабынынан жасалған, бұл жоғары температураға төтеп беріп, эпитаксиалды өндіріс кезінде керемет тұрақтылықпен қамтамасыз етіледі.

Жылу өткізгіштік: Жақсы жылу өнімділігі температураны бақылауға мүмкіндік береді, ал ган эпитакси сезімшесінің жақсы жылу өткізгіштігі ган эпитаксиінің біркелкі тұндыруын қамтамасыз етеді.

Химиялық тұрақтылық: SIC жабыны ластануды және коррозияға жол бермейді, сондықтан ган эпитакси сезімін қабылдайтын, MOCVD жүйесінің қатал химиялық ортасына төтеп беріп, ган эпитаксиінің қалыпты өндірісін қамтамасыз ете алады.

Жобалау: Құрылымдық дизайн баррелі тәрізді немесе құймақ тәрізді сезімталдық тәрізді клиенттердің қажеттіліктеріне сәйкес жүзеге асырылады. Вафлидің өнімділігі мен біркелкілігін жақсарту үшін әртүрлі эпитаксиальды өсу технологиялары үшін әртүрлі құрылымдар оңтайландырылған.

Қандай жақсылықтар, Ветек жартылайдюсторы сізге ең жақсы өнімдер мен шешімдерді ұсына алады. Сіздің кеңесіңізді кез-келген уақытта күтеміз.

Негізгі физикалық қасиеттеріCVD SIC жабыны:

Багажник жартылай өткізгішГан эпитакси сезімінзатты дүкендер: