Жаңалықтар

Veteksemicon 2025 Шанхай SEMICON халықаралық көрмесінде жарқырап, инновациялық технологиялармен жартылай өткізгіш өнеркәсібінің болашағын басқарады

Жартылай өткізгіш өнеркәсіпте, өйткені құрылғы мөлшері қысқартуды жалғастыруда, жұқа кинофильмдердің тұндыру технологиясы бұрын-соңды болмаған қиындықтарға тап болды. Атомдық қабатты тұндыру (ALD), атомдық деңгейде дәл бақылауға ие жұқа пленкамен тұндыру технологиясы ретінде жартылай өткізгіш өндірісінің ажырамас бөлігі болды. Бұл мақалада озық чип өндірісінде маңызды рөлін түсінуге көмектесетін ALD процесінің ағымы мен принциптерін енгізуге бағытталған.

Интегралды схемаларды немесе жартылай өткізгіш құрылғыларды тамаша кристалды негіз қабатында құру өте қолайлы. Жартылай өткізгіштерді өндірудегі эпитаксистік (эпи) процесі бір кристалды субстратқа әдетте шамамен 0,5-тен 20 мкм-ге дейінгі жұқа бір кристалды қабатты қоюға бағытталған. Эпитаксия процесі жартылай өткізгіш құрылғыларды өндірудегі маңызды қадам болып табылады, әсіресе кремний пластинасын өндіруде.