Жаңалықтар

Алмаз, төртінші буын «соңғы жартылай өткізгіш» төртінші буыны жартылай өткізгіш субстратта ерекше қаттылыққа, жылу өткізгіштіктің және электрлік қасиеттерге байланысты назар аударады. Оның қымбаттауы және өндіріске қатысты қиындықтар оның қолданылуын шектеді, CVD - бұл артықшылықты әдіс. Допингке және үлкен аудандық кристалды сын-қатерлерге қарамастан, гауһар қабылдады.

SIC және GAN - бұл кремнийдің үстінен артықшылықтары бар, мысалы, кремнийдің үстінен, мысалы, одан жоғары кернеу, жылдам коммутация жылдамдығы және жоғары тиімділік. Жоғары вольтты, жоғары вольтты, жоғары қуатты қосымшалар үшін жақсы, ал жоғары деңгейлі өткізгіштікке, ал жоғары жиілікті қосымшалардағы GAN электронды ұтқырлығының арқасында жоғары жиілікті қосымшалармен жақсы.

Электронды сәуленің булануы - бұл электронды сәулемен булану материалын қыздыратын, оны жұқа қабыққа айналдыратын және конденсацияланатын қарсылас қыздырумен салыстырғанда өте тиімді және кеңінен қолданылатын жабын әдісі.