Жаңалықтар

Кремний карбиді (SIC) - бұл жоғары температуралық тұрақтылық, коррозияға төзімділігі және жоғары механикалық беріктік сияқты керемет қасиеттері бар жоғары дәлдікті жартылай өткізгіш материал. Оның 200-ден астам кристалды құрылымы бар, 3С-СИК бар, жалғыз текше түрі, басқа түрлерімен салыстырғанда табиғи сфералық пен тығыздауды ұсынады. 3C-SIC өзінің электронды электронды ұтқырлығын білдіреді, бұл оны электроникадағы Мозфет үшін өте ыңғайлы етеді. Сонымен қатар, ол наноэлектроника, көк жарықдиодтар мен сенсорларда үлкен әлеуетті көрсетеді.

Алмаз, төртінші буын «соңғы жартылай өткізгіш» төртінші буыны жартылай өткізгіш субстратта ерекше қаттылыққа, жылу өткізгіштіктің және электрлік қасиеттерге байланысты назар аударады. Оның қымбаттауы және өндіріске қатысты қиындықтар оның қолданылуын шектеді, CVD - бұл артықшылықты әдіс. Допингке және үлкен аудандық кристалды сын-қатерлерге қарамастан, гауһар қабылдады.

SIC және GAN - бұл кремнийдің үстінен артықшылықтары бар, мысалы, кремнийдің үстінен, мысалы, одан жоғары кернеу, жылдам коммутация жылдамдығы және жоғары тиімділік. Жоғары вольтты, жоғары вольтты, жоғары қуатты қосымшалар үшін жақсы, ал жоғары деңгейлі өткізгіштікке, ал жоғары жиілікті қосымшалардағы GAN электронды ұтқырлығының арқасында жоғары жиілікті қосымшалармен жақсы.